KSD227GBU ON Semiconductor TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
                             Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы                                                        
                        Нумар вытворцы:
                            KSD227GBU
                        Вытворца:
                            
                        Катэгорыя прадукцыі:
                            
                        Апісанне:
                            
                                TRANS NPN 25V 0.3A TO-92                            
                        Стан RoHs:
                             Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
                                 Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS                            Табліцы дадзеных:
                            
                        
                                                                                        Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
                                                                                    
                                          200 @ 50mA, 1V
                                    
                                                                                        Магутнасць - Макс :
                                                                                    
                                          400mW
                                    
                                                                                        Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
                                                                                    
                                          25V
                                    
                                                                                        Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
                                                                                    
                                          400mV @ 30mA, 300mA
                                    
                                                                                        Пакет / Чахол :
                                                                                    
                                          TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
                                    
                                                                                        Пакет прылады пастаўшчыка :
                                                                                    
                                          TO-92-3
                                    
                                                                                        Працоўная тэмпература :
                                                                                    
                                          150°C (TJ)
                                    
                                                                                        серыял :
                                                                                    
                                          -
                                    
                                                                                        Ток - адсечка калектара (макс.) :
                                                                                    
                                          100nA (ICBO)
                                    
                                                                                        Ток - калектар (Ic) (макс.) :
                                                                                    
                                          300mA
                                    
                                                                                        Тып мацавання :
                                                                                    
                                          Through Hole
                                    
                                                                                        Тып транзістара :
                                                                                    
                                          NPN
                                    
                                                                                        Ўпакоўка :
                                                                                    
                                          Bulk
                                    
                                                                                        Частата - Пераход :
                                                                                    
                                          -
                                    
                                                                                        Частка Статус :
                                                                                    
                                          Obsolete
                                    в наличии
                            35,547
                        Unit Price:
                            Звяжыцеся з намі Прапанова
                        KSD227GBU Канкурэнтныя кошты
                    ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць KSD227GBU больш
                     канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
                     сэрвісам, купіўшы ChipIc KSD227GBU. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
                     лепшай цаны на KSD227GBU. Націсніце, каб атрымаць прапанову
                
            KSD227GBU Асаблівасці
                    KSD227GBU is produced by ON Semiconductor, belongs to  Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя.                
            KSD227GBU Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
                    KSD227GBU - гэта  Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
                     вырабленыя
                     ON Semiconductor.
                     
KSD227GBU вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
KSD227GBU кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных KSD227GBU (PDF), кошт KSD227GBU, Распіноўка KSD227GBU, кіраўніцтва KSD227GBU і рашэнне на замену KSD227GBU.
                KSD227GBU вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
KSD227GBU кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных KSD227GBU (PDF), кошт KSD227GBU, Распіноўка KSD227GBU, кіраўніцтва KSD227GBU і рашэнне на замену KSD227GBU.
KSD227GBU FAQ
:
                    
                   
                    1. What is the maximum collector current of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector current of the KSD227GBU transistor is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor is 400V.
3. What is the power dissipation of the KSD227GBU transistor?
The power dissipation of the KSD227GBU transistor is 25W.
4. What is the gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor?
The gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
5. What is the maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor?
The maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor is 150°C.
6. What is the typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor?
The typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor is 1.2V.
7. What is the thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor?
The thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor is 3.125°C/W.
8. What is the storage temperature range of the KSD227GBU transistor?
The storage temperature range of the KSD227GBU transistor is -55°C to 150°C.
9. What is the transition frequency of the KSD227GBU transistor?
The transition frequency of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
10. What is the maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor?
The maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor is 25W.
            The maximum collector current of the KSD227GBU transistor is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor is 400V.
3. What is the power dissipation of the KSD227GBU transistor?
The power dissipation of the KSD227GBU transistor is 25W.
4. What is the gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor?
The gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
5. What is the maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor?
The maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor is 150°C.
6. What is the typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor?
The typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor is 1.2V.
7. What is the thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor?
The thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor is 3.125°C/W.
8. What is the storage temperature range of the KSD227GBU transistor?
The storage temperature range of the KSD227GBU transistor is -55°C to 150°C.
9. What is the transition frequency of the KSD227GBU transistor?
The transition frequency of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
10. What is the maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor?
The maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor is 25W.
KSD227GBU Змяненні, ключавыя словы
:
                        KSD227GBU Кошт
                    
                    
                    
                        KSD227GBU Малюнак
                    
                    
                    
                    
                        KSD227GBU Напружанне на выснове
                    
                    
                Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
  Змяшчае прадукты серыі "KSD2"
        
 
                                                                                                         KSD227GBU Табліцы дадзеных(PDF)
                                                KSD227GBU Табліцы дадзеных(PDF)
                                             
                                                                             
                                                                             
                                                                             
                                                                             
                                                                             
                                                                             
                                                                            