SIC788ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix 50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
SIC788ACD-T1-GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
SIC788ACD-T1-GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds уключаны (тып) :
-
Інтэрфейс :
PWM
Абарона ад памылак :
Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Асаблівасці :
Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Канфігурацыя вываду :
Half Bridge
Напружанне - нагрузка :
4.5 V ~ 18 V
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Прыкладанні :
Synchronous Buck Converters
серыял :
VRPower®
Ток - выхад / канал :
50A
Ток - Пікавы выхад :
-
Тып мацавання :
-
Тып нагрузкі :
Inductive
Тэхналогія :
Power MOSFET
Ўпакоўка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
49,452
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SIC788ACD-T1-GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SIC788ACD-T1-GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SIC788ACD-T1-GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SIC788ACD-T1-GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SIC788ACD-T1-GE3 Асаблівасці
SIC788ACD-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to PMIC - Поўныя, Half-Bridge драйверы.
SIC788ACD-T1-GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SIC788ACD-T1-GE3 - гэта PMIC - Поўныя, Half-Bridge драйверы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SIC788ACD-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SIC788ACD-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), кошт SIC788ACD-T1-GE3, Распіноўка SIC788ACD-T1-GE3, кіраўніцтва SIC788ACD-T1-GE3 і рашэнне на замену SIC788ACD-T1-GE3.
SIC788ACD-T1-GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SIC788ACD-T1-GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), кошт SIC788ACD-T1-GE3, Распіноўка SIC788ACD-T1-GE3, кіраўніцтва SIC788ACD-T1-GE3 і рашэнне на замену SIC788ACD-T1-GE3.
SIC788ACD-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
SIC788ACD-T1-GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SIC788ACD-T1-GE3 Кошт
SIC788ACD-T1-GE3 Малюнак
SIC788ACD-T1-GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SIC7"
