TH58NYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
TH58NYG3S0HBAI6
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
TH58NYG3S0HBAI6 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
67-VFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
67-VFBGA (6.5x8)
Памер памяці :
8Gb (1G x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND (SLC)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Active
в наличии
15,503
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
TH58NYG3S0HBAI6 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TH58NYG3S0HBAI6 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc TH58NYG3S0HBAI6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на TH58NYG3S0HBAI6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
TH58NYG3S0HBAI6 Асаблівасці
TH58NYG3S0HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.
TH58NYG3S0HBAI6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
TH58NYG3S0HBAI6 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Memory America, Inc..
TH58NYG3S0HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TH58NYG3S0HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TH58NYG3S0HBAI6 (PDF), кошт TH58NYG3S0HBAI6, Распіноўка TH58NYG3S0HBAI6, кіраўніцтва TH58NYG3S0HBAI6 і рашэнне на замену TH58NYG3S0HBAI6.
TH58NYG3S0HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TH58NYG3S0HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TH58NYG3S0HBAI6 (PDF), кошт TH58NYG3S0HBAI6, Распіноўка TH58NYG3S0HBAI6, кіраўніцтва TH58NYG3S0HBAI6 і рашэнне на замену TH58NYG3S0HBAI6.
TH58NYG3S0HBAI6 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60mA.
3. Can the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory be operated at voltages lower than the specified minimum voltage?
Operating the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory at voltages lower than the specified minimum voltage is not recommended as it may lead to unreliable operation and potential damage to the device.
4. What are the recommended methods for extending the lifespan of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
To extend the lifespan of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory, it is recommended to implement wear-leveling algorithms, error correction codes, and proper voltage and temperature management.
5. Is the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory compatible with industrial temperature range applications?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is designed to be compatible with industrial temperature range applications, with an operating temperature range of -40°C to 85°C.
6. What is the maximum clock frequency supported by the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 52MHz.
7. Can the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory support both synchronous and asynchronous data transfer modes?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory can support both synchronous and asynchronous data transfer modes, providing flexibility in system integration.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 3,000 cycles.
9. Does the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory incorporate built-in error detection and correction mechanisms?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory incorporates built-in error detection and correction mechanisms to ensure data integrity and reliability.
10. What are the available package options for the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is available in a variety of package options, including TSOP, BGA, and WSON packages to accommodate different design requirements.
The maximum operating temperature for the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory during read operations is 60mA.
3. Can the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory be operated at voltages lower than the specified minimum voltage?
Operating the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory at voltages lower than the specified minimum voltage is not recommended as it may lead to unreliable operation and potential damage to the device.
4. What are the recommended methods for extending the lifespan of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
To extend the lifespan of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory, it is recommended to implement wear-leveling algorithms, error correction codes, and proper voltage and temperature management.
5. Is the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory compatible with industrial temperature range applications?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is designed to be compatible with industrial temperature range applications, with an operating temperature range of -40°C to 85°C.
6. What is the maximum clock frequency supported by the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 52MHz.
7. Can the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory support both synchronous and asynchronous data transfer modes?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory can support both synchronous and asynchronous data transfer modes, providing flexibility in system integration.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is 3,000 cycles.
9. Does the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory incorporate built-in error detection and correction mechanisms?
Yes, the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory incorporates built-in error detection and correction mechanisms to ensure data integrity and reliability.
10. What are the available package options for the TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory?
The TH58NYG3S0HBAI6 NAND flash memory is available in a variety of package options, including TSOP, BGA, and WSON packages to accommodate different design requirements.
TH58NYG3S0HBAI6 Змяненні, ключавыя словы
:
TH58NYG3S0HBAI6 Кошт
TH58NYG3S0HBAI6 Малюнак
TH58NYG3S0HBAI6 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "TH58"
