NAND08GW3C2BN6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8GBIT 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
NAND08GW3C2BN6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 8GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
8Gb (1G x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
25,115
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
NAND08GW3C2BN6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NAND08GW3C2BN6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc NAND08GW3C2BN6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на NAND08GW3C2BN6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
NAND08GW3C2BN6E Асаблівасці
NAND08GW3C2BN6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
NAND08GW3C2BN6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
NAND08GW3C2BN6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
NAND08GW3C2BN6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NAND08GW3C2BN6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NAND08GW3C2BN6E (PDF), кошт NAND08GW3C2BN6E, Распіноўка NAND08GW3C2BN6E, кіраўніцтва NAND08GW3C2BN6E і рашэнне на замену NAND08GW3C2BN6E.
NAND08GW3C2BN6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NAND08GW3C2BN6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NAND08GW3C2BN6E (PDF), кошт NAND08GW3C2BN6E, Распіноўка NAND08GW3C2BN6E, кіраўніцтва NAND08GW3C2BN6E і рашэнне на замену NAND08GW3C2BN6E.
NAND08GW3C2BN6E FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the NAND08GW3C2BN6E?
The maximum operating temperature for the NAND08GW3C2BN6E is 85°C.
2. What is the input voltage range for this NAND flash memory?
The input voltage range for the NAND08GW3C2BN6E is typically 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the typical read and program times for this NAND flash memory?
The typical read time for the NAND08GW3C2BN6E is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
4. What is the capacity of the NAND08GW3C2BN6E?
The capacity of the NAND08GW3C2BN6E is 8 gigabits (1 gigabyte).
5. What interface standards does the NAND08GW3C2BN6E support?
The NAND08GW3C2BN6E supports the ONFI 3.2 and Toggle 2.0 interface standards.
6. What are the typical power consumption specifications for this NAND flash memory?
The typical power consumption for the NAND08GW3C2BN6E is 5mA for read operations and 20mA for program/erase operations.
7. Is the NAND08GW3C2BN6E designed for industrial or consumer applications?
The NAND08GW3C2BN6E is designed for industrial applications.
8. What is the data retention period for the NAND08GW3C2BN6E?
The data retention period for the NAND08GW3C2BN6E is 5 years.
9. Can you provide information on the package type and dimensions for this NAND flash memory?
The NAND08GW3C2BN6E is available in a 63-ball BGA package with dimensions of 9mm x 11mm.
10. Does the NAND08GW3C2BN6E have built-in error correction capabilities?
Yes, the NAND08GW3C2BN6E features built-in hardware ECC (Error Correction Code) functionality.
The maximum operating temperature for the NAND08GW3C2BN6E is 85°C.
2. What is the input voltage range for this NAND flash memory?
The input voltage range for the NAND08GW3C2BN6E is typically 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the typical read and program times for this NAND flash memory?
The typical read time for the NAND08GW3C2BN6E is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
4. What is the capacity of the NAND08GW3C2BN6E?
The capacity of the NAND08GW3C2BN6E is 8 gigabits (1 gigabyte).
5. What interface standards does the NAND08GW3C2BN6E support?
The NAND08GW3C2BN6E supports the ONFI 3.2 and Toggle 2.0 interface standards.
6. What are the typical power consumption specifications for this NAND flash memory?
The typical power consumption for the NAND08GW3C2BN6E is 5mA for read operations and 20mA for program/erase operations.
7. Is the NAND08GW3C2BN6E designed for industrial or consumer applications?
The NAND08GW3C2BN6E is designed for industrial applications.
8. What is the data retention period for the NAND08GW3C2BN6E?
The data retention period for the NAND08GW3C2BN6E is 5 years.
9. Can you provide information on the package type and dimensions for this NAND flash memory?
The NAND08GW3C2BN6E is available in a 63-ball BGA package with dimensions of 9mm x 11mm.
10. Does the NAND08GW3C2BN6E have built-in error correction capabilities?
Yes, the NAND08GW3C2BN6E features built-in hardware ECC (Error Correction Code) functionality.
NAND08GW3C2BN6E Змяненні, ключавыя словы
:
NAND08GW3C2BN6E Кошт
NAND08GW3C2BN6E Малюнак
NAND08GW3C2BN6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "NAND"
