NAND04GR3B2DN6E Micron Technology Inc. IC FLASH 4GBIT 48TSOP

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
NAND04GR3B2DN6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
4Gb (512M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
25ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Discontinued at Digi-Key
в наличии
49,519
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

NAND04GR3B2DN6E Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NAND04GR3B2DN6E больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc NAND04GR3B2DN6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на NAND04GR3B2DN6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

NAND04GR3B2DN6E Асаблівасці

NAND04GR3B2DN6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

NAND04GR3B2DN6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
NAND04GR3B2DN6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
NAND04GR3B2DN6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NAND04GR3B2DN6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NAND04GR3B2DN6E (PDF), кошт NAND04GR3B2DN6E, Распіноўка NAND04GR3B2DN6E, кіраўніцтва NAND04GR3B2DN6E і рашэнне на замену NAND04GR3B2DN6E.
  

NAND04GR3B2DN6E FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the NAND04GR3B2DN6E?
The maximum operating temperature for the NAND04GR3B2DN6E is 85°C.

2. What is the input voltage range for this NAND flash memory?
The input voltage range for the NAND04GR3B2DN6E is typically 2.7V to 3.6V.

3. Can you provide the typical read and program times for this NAND flash memory?
The typical read time for the NAND04GR3B2DN6E is 25μs, and the typical program time is 2000μs.

4. What is the capacity of the NAND04GR3B2DN6E?
The capacity of the NAND04GR3B2DN6E is 4 gigabits (Gb).

5. Does the NAND04GR3B2DN6E support a synchronous interface?
No, the NAND04GR3B2DN6E does not support a synchronous interface.

6. What is the erase time for the NAND04GR3B2DN6E?
The erase time for the NAND04GR3B2DN6E is typically 1500μs.

7. Can you provide the data retention period for this NAND flash memory?
The data retention period for the NAND04GR3B2DN6E is 10 years.

8. Is the NAND04GR3B2DN6E compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the NAND04GR3B2DN6E is compatible with industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

9. What are the package dimensions for the NAND04GR3B2DN6E?
The package dimensions for the NAND04GR3B2DN6E are 14mm x 18mm, with a thickness of 1.2mm.

10. Can you provide the endurance specification for the NAND04GR3B2DN6E?
The endurance specification for the NAND04GR3B2DN6E is 3000 program/erase cycles.
  

NAND04GR3B2DN6E Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "NAND"