MT40A1G8WE-075E:B Micron Technology Inc. DDR4 8G 1GX8 FBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT40A1G8WE-075E:B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DDR4 8G 1GX8 FBGA
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
MT40A1G8WE-075E:B Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.14 V ~ 1.26 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
8Gb (1G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 95°C (TC)
серыял :
-
Тактавая частата :
1.33GHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Volatile
Тэхналогія :
SDRAM - DDR4
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
DRAM
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
51,325
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT40A1G8WE-075E:B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT40A1G8WE-075E:B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT40A1G8WE-075E:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT40A1G8WE-075E:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT40A1G8WE-075E:B Асаблівасці
MT40A1G8WE-075E:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT40A1G8WE-075E:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT40A1G8WE-075E:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT40A1G8WE-075E:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT40A1G8WE-075E:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT40A1G8WE-075E:B (PDF), кошт MT40A1G8WE-075E:B, Распіноўка MT40A1G8WE-075E:B, кіраўніцтва MT40A1G8WE-075E:B і рашэнне на замену MT40A1G8WE-075E:B.
MT40A1G8WE-075E:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT40A1G8WE-075E:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT40A1G8WE-075E:B (PDF), кошт MT40A1G8WE-075E:B, Распіноўка MT40A1G8WE-075E:B, кіраўніцтва MT40A1G8WE-075E:B і рашэнне на замену MT40A1G8WE-075E:B.
MT40A1G8WE-075E:B FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The maximum operating frequency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 1600 MHz.
2. What is the operating voltage range for the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The operating voltage range for the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 1.2V ± 0.06V.
3. Can the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM operate at extended temperature ranges?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM can operate at extended temperature ranges from -40°C to 95°C.
4. What is the typical CAS latency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The typical CAS latency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is CL17.
5. Does the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports on-die termination (ODT) for improved signal integrity.
6. What is the burst length supported by the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM compatible with RoHS requirements?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is compliant with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) requirements.
8. What is the refresh rate of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The refresh rate of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 8K (64ms).
9. Can the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM support ECC (Error-Correcting Code) functionality?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM can support ECC (Error-Correcting Code) functionality for data integrity.
10. What is the maximum capacity supported by the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports a maximum capacity of 8Gb (1Gx8).
The maximum operating frequency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 1600 MHz.
2. What is the operating voltage range for the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The operating voltage range for the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 1.2V ± 0.06V.
3. Can the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM operate at extended temperature ranges?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM can operate at extended temperature ranges from -40°C to 95°C.
4. What is the typical CAS latency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The typical CAS latency of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is CL17.
5. Does the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports on-die termination (ODT) for improved signal integrity.
6. What is the burst length supported by the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM compatible with RoHS requirements?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is compliant with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) requirements.
8. What is the refresh rate of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The refresh rate of the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM is 8K (64ms).
9. Can the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM support ECC (Error-Correcting Code) functionality?
Yes, the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM can support ECC (Error-Correcting Code) functionality for data integrity.
10. What is the maximum capacity supported by the MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM?
The MT40A1G8WE-075E:B DDR4 SDRAM supports a maximum capacity of 8Gb (1Gx8).
MT40A1G8WE-075E:B Змяненні, ключавыя словы
:
MT40A1G8WE-075E:B Кошт
MT40A1G8WE-075E:B Малюнак
MT40A1G8WE-075E:B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT40"