MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. TLC 768G 96GX8 VBGA DDP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TLC 768G 96GX8 VBGA DDP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.5 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
768Gb (96G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
333MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
39,137
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Асаблівасці
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B (PDF), кошт MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, Распіноўка MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, кіраўніцтва MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B і рашэнне на замену MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B (PDF), кошт MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, Распіноўка MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, кіраўніцтва MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B і рашэнне на замену MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory has a maximum capacity of 768 gigabits.
2. What interface does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program latencies of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The typical read latency of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 25 microseconds, while the typical program latency is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports hardware-based ECC (Error Correction Code) and other data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 200MHz.
8. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
9. What is the typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation is 60mA (maximum).
10. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory has a maximum capacity of 768 gigabits.
2. What interface does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program latencies of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The typical read latency of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 25 microseconds, while the typical program latency is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports hardware-based ECC (Error Correction Code) and other data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 200MHz.
8. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
9. What is the typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation is 60mA (maximum).
10. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Кошт
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Малюнак
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"