MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Micron Technology Inc. MLC 64G 8GX8 VBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MLC 64G 8GX8 VBGA
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
64Gb (8G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
100MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
36,542
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F64G08CBCBBH1-10X:B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F64G08CBCBBH1-10X:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F64G08CBCBBH1-10X:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Асаблівасці
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F64G08CBCBBH1-10X:B (PDF), кошт MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, Распіноўка MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, кіраўніцтва MT29F64G08CBCBBH1-10X:B і рашэнне на замену MT29F64G08CBCBBH1-10X:B.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F64G08CBCBBH1-10X:B (PDF), кошт MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, Распіноўка MT29F64G08CBCBBH1-10X:B, кіраўніцтва MT29F64G08CBCBBH1-10X:B і рашэнне на замену MT29F64G08CBCBBH1-10X:B.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What interface does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is designed to withstand industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program times for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
7. What is the erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 128 kilobytes.
8. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.
9. What is the data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 10 years.
10. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory has a maximum capacity of 64 gigabits.
2. What interface does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is designed to withstand industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program times for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The typical read time for the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 25 microseconds, and the typical program time is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
7. What is the erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The erase block size of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is 128 kilobytes.
8. Can the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.
9. What is the data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory is typically 10 years.
10. Does the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F64G08CBCBBH1-10X:B NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Кошт
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Малюнак
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"