MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132TBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132TBGA
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Gb (64G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
167MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
20,465
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Асаблівасці
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 (PDF), кошт MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001, Распіноўка MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001, кіраўніцтва MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 і рашэнне на замену MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 (PDF), кошт MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001, Распіноўка MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001, кіраўніцтва MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 і рашэнне на замену MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What interface does the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What are the operating voltage and temperature range of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V and a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory support advanced error correction capabilities?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory supports advanced ECC (Error Correction Code) algorithms for improved data reliability.
7. What are the available package options for the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.
8. Can the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
9. What tools and software are recommended for integrating the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory into a system?
Micron provides a comprehensive set of tools and software, including datasheets, application notes, and reference designs, to facilitate the integration of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory.
10. Are there any specific design considerations or best practices when using the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory in a system?
When designing with the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory, it is important to consider factors such as signal integrity, power supply decoupling, and thermal management to ensure optimal performance and reliability.
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What interface does the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What are the operating voltage and temperature range of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V and a temperature range of -40°C to 85°C.
4. Can the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.
6. Does the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory support advanced error correction capabilities?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory supports advanced ECC (Error Correction Code) algorithms for improved data reliability.
7. What are the available package options for the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory?
The MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.
8. Can the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
9. What tools and software are recommended for integrating the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory into a system?
Micron provides a comprehensive set of tools and software, including datasheets, application notes, and reference designs, to facilitate the integration of the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory.
10. Are there any specific design considerations or best practices when using the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory in a system?
When designing with the MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 NAND flash memory, it is important to consider factors such as signal integrity, power supply decoupling, and thermal management to ensure optimal performance and reliability.
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Кошт
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Малюнак
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"