MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Micron Technology Inc. TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
-
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
-
Тэхналогія :
-
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
-
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
36,600
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F512G08EECAGJ4-5M:A больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F512G08EECAGJ4-5M:A. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F512G08EECAGJ4-5M:A. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Асаблівасці
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08EECAGJ4-5M:A (PDF), кошт MT29F512G08EECAGJ4-5M:A, Распіноўка MT29F512G08EECAGJ4-5M:A, кіраўніцтва MT29F512G08EECAGJ4-5M:A і рашэнне на замену MT29F512G08EECAGJ4-5M:A.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08EECAGJ4-5M:A (PDF), кошт MT29F512G08EECAGJ4-5M:A, Распіноўка MT29F512G08EECAGJ4-5M:A, кіраўніцтва MT29F512G08EECAGJ4-5M:A і рашэнне на замену MT29F512G08EECAGJ4-5M:A.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 166MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory during read operations is 30mA.
3. Can the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles.
5. Does the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What is the page size of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The page size of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 2KB.
7. Is the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory compatible with ONFI (Open NAND Flash Interface) specifications?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is compatible with ONFI 3.2 specifications.
8. What is the voltage range for the input/output buffers of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The voltage range for the input/output buffers of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 1.8V to 3.3V.
9. Can the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is qualified for automotive applications.
10. What are the available package options for the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is available in a 63-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
The maximum operating frequency of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 166MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory during read operations is 30mA.
3. Can the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles.
5. Does the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What is the page size of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The page size of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 2KB.
7. Is the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory compatible with ONFI (Open NAND Flash Interface) specifications?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is compatible with ONFI 3.2 specifications.
8. What is the voltage range for the input/output buffers of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The voltage range for the input/output buffers of the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is 1.8V to 3.3V.
9. Can the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is qualified for automotive applications.
10. What are the available package options for the MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory?
The MT29F512G08EECAGJ4-5M:A NAND flash memory is available in a 63-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Кошт
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Малюнак
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"