MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 100MHZ 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 512GBIT 100MHZ 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Gb (64G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
100MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
13,142
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Асаблівасці
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR (PDF), кошт MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR, Распіноўка MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR, кіраўніцтва MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR і рашэнне на замену MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR (PDF), кошт MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR, Распіноўка MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR, кіраўніцтва MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR і рашэнне на замену MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What is the operating voltage range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The operating voltage range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is 2.7V to 3.6V.
4. What are the typical read and program times for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The typical read time for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is 50 microseconds, and the typical program time is 900 microseconds for each 2KB page.
5. Does the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports hardware data protection features such as Program/Erase Lock and Secure OTP.
6. What is the temperature range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR's operation?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is designed to operate within a temperature range of -40°C to 85°C.
7. Can the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is AEC-Q100 qualified and suitable for automotive applications.
8. What is the typical data retention period for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR has a typical data retention period of 10 years.
9. Does the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR support advanced error correction techniques?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports advanced ECC (Error Correction Code) algorithms for data reliability.
10. Is the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR compatible with various NAND controller ICs?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is compatible with a wide range of NAND controller ICs, providing flexibility in system design and integration.
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.
2. What is the interface protocol supported by the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports the ONFI 4.0 interface protocol.
3. What is the operating voltage range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The operating voltage range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is 2.7V to 3.6V.
4. What are the typical read and program times for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The typical read time for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is 50 microseconds, and the typical program time is 900 microseconds for each 2KB page.
5. Does the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports hardware data protection features such as Program/Erase Lock and Secure OTP.
6. What is the temperature range for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR's operation?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is designed to operate within a temperature range of -40°C to 85°C.
7. Can the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is AEC-Q100 qualified and suitable for automotive applications.
8. What is the typical data retention period for the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR?
The MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR has a typical data retention period of 10 years.
9. Does the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR support advanced error correction techniques?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR supports advanced ECC (Error Correction Code) algorithms for data reliability.
10. Is the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR compatible with various NAND controller ICs?
Yes, the MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR is compatible with a wide range of NAND controller ICs, providing flexibility in system design and integration.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Кошт
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Малюнак
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"