MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 200MHZ 132VBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 512GBIT 200MHZ 132VBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Gb (64G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
200MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
26,267
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Асаблівасці

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR (PDF), кошт MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR, Распіноўка MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR, кіраўніцтва MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR і рашэнне на замену MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR.
  

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR FAQ

:
1. What is the maximum capacity of the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 512 gigabits.

2. What interface does the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory support?
The MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory supports a standard ONFI 3.0 synchronous NAND interface.

3. What are the operating voltage and temperature range for the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory operates at 3.3V and has a temperature range of -40°C to 85°C.

4. Can the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.

5. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory has a typical program and erase cycle endurance of 3,000 cycles.

6. Does the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as internal ECC and bad block management.

7. What is the page size of the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory?
The MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory has a page size of 8,192 bytes.

8. Is the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory compatible with industrial-grade systems?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory is compatible with industrial-grade systems and meets the necessary reliability standards.

9. Can the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory be used in conjunction with other memory devices?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory can be used in conjunction with other memory devices to meet specific application requirements.

10. What are the key features that differentiate the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory from other similar products?
The key features that differentiate the MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR NAND flash memory include its high capacity, robust design for automotive and industrial applications, and support for hardware data protection features.
  

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"