WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. аб'ём памяці
  5. MT29F512G08CECBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MLC 512G 64GX8 VBGA DDP
MT29F512G08CECBBJ4-37:B

MT29F512G08CECBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Вытворца:
Micron Technology Inc.
Катэгорыя прадукцыі:
аб'ём памяці
Апісанне:
MLC 512G 64GX8 VBGA DDP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:

PDF
Табліцы дадзеных
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Gb (64G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
267MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
16,244
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F512G08CECBBJ4-37:B Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F512G08CECBBJ4-37:B больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F512G08CECBBJ4-37:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F512G08CECBBJ4-37:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F512G08CECBBJ4-37:B Асаблівасці

MT29F512G08CECBBJ4-37:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F512G08CECBBJ4-37:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F512G08CECBBJ4-37:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F512G08CECBBJ4-37:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F512G08CECBBJ4-37:B (PDF), кошт MT29F512G08CECBBJ4-37:B, Распіноўка MT29F512G08CECBBJ4-37:B, кіраўніцтва MT29F512G08CECBBJ4-37:B і рашэнне на замену MT29F512G08CECBBJ4-37:B.
  

MT29F512G08CECBBJ4-37:B FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical power consumption of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.

4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is 133MHz.

5. Does the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory supports hardware data protection features.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is 3000 cycles.

7. Is the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.

8. What are the available package options for the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory?
The MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.

9. Can the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.

10. What is the typical data retention period of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F512G08CECBBJ4-37:B NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F512G08CECBBJ4-37:B Змяненні, ключавыя словы

:
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Кошт
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Тэхнічная спецыфікацыя
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Малюнак
MT29F512G08CECBBJ4-37:B PDF
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Тэхнічныя характарыстыкі
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Напружанне на выснове
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"