MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Micron Technology Inc. SLC 4G 512MX8 FBGA IT M70A

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
SLC 4G 512MX8 FBGA IT M70A
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
4Gb (512M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
33,900
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Асаблівасці

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR (PDF), кошт MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR, Распіноўка MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR, кіраўніцтва MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR і рашэнне на замену MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR.
  

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is 50MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is 200MB/s.

5. Does the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code) and wear leveling.

6. What is the maximum capacity of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory?
The maximum capacity of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is 4GB.

7. Is the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).

8. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory is 3,000 cycles.

9. Does the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.

10. What are the recommended voltage levels for the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory?
The recommended voltage levels for the MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR NAND flash memory are 3.3V for read and program operations, and 1.8V for input/output buffers.
  

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"