MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Micron Technology Inc. IC FLASH 2GBIT 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
58,352
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Асаблівасці
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E (PDF), кошт MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E, Распіноўка MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E, кіраўніцтва MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E і рашэнне на замену MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E (PDF), кошт MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E, Распіноўка MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E, кіраўніцтва MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E і рашэнне на замену MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory has a maximum capacity of 2 gigabits.
2. What interface does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit multiplexed data bus for data transfer.
3. Can the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
4. What are the typical erase and program times for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The typical erase time for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 2 milliseconds, while the typical program time is 200 microseconds.
5. Does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP (One-Time Programmable) area.
6. What is the voltage range for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The voltage range for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V for read and program operations, and 0V to 3.6V for erase operations.
7. Can the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
8. What is the typical data retention period for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The typical data retention period for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 10 years.
9. Does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory support multiple block erase operations?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory supports multiple block erase operations, which can improve overall system performance.
10. Is the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory compatible with standard NAND flash controllers?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is designed to be compatible with standard NAND flash controllers, providing ease of integration into existing systems.
The MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory has a maximum capacity of 2 gigabits.
2. What interface does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit multiplexed data bus for data transfer.
3. Can the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
4. What are the typical erase and program times for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The typical erase time for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 2 milliseconds, while the typical program time is 200 microseconds.
5. Does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as program/erase lockout and secure OTP (One-Time Programmable) area.
6. What is the voltage range for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The voltage range for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V for read and program operations, and 0V to 3.6V for erase operations.
7. Can the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
8. What is the typical data retention period for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory?
The typical data retention period for the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is 10 years.
9. Does the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory support multiple block erase operations?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory supports multiple block erase operations, which can improve overall system performance.
10. Is the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory compatible with standard NAND flash controllers?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E NAND flash memory is designed to be compatible with standard NAND flash controllers, providing ease of integration into existing systems.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Кошт
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Малюнак
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"