MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Micron Technology Inc. SLC 2G 256MX8 TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
SLC 2G 256MX8 TSOP
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
26,669
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F2G08ABAEAWP-AT:E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F2G08ABAEAWP-AT:E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F2G08ABAEAWP-AT:E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Асаблівасці
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F2G08ABAEAWP-AT:E (PDF), кошт MT29F2G08ABAEAWP-AT:E, Распіноўка MT29F2G08ABAEAWP-AT:E, кіраўніцтва MT29F2G08ABAEAWP-AT:E і рашэнне на замену MT29F2G08ABAEAWP-AT:E.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F2G08ABAEAWP-AT:E (PDF), кошт MT29F2G08ABAEAWP-AT:E, Распіноўка MT29F2G08ABAEAWP-AT:E, кіраўніцтва MT29F2G08ABAEAWP-AT:E і рашэнне на замену MT29F2G08ABAEAWP-AT:E.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 200MB/s.
5. Does the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code).
6. What is the voltage range for the input supply of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The voltage range for the input supply of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
7. Is the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is designed for use in industrial-grade applications.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 3,000 cycles.
9. Can the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What are the available package options for the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.
The maximum operating frequency of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 200MB/s.
5. Does the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code).
6. What is the voltage range for the input supply of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The voltage range for the input supply of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
7. Is the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is designed for use in industrial-grade applications.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is 3,000 cycles.
9. Can the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What are the available package options for the MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory?
The MT29F2G08ABAEAWP-AT:E NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Кошт
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Малюнак
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"