MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Micron Technology Inc. IC FLASH SLC 2GBIT 2GX1 TBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH SLC 2GBIT 2GX1 TBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
SPI
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
2Gb (2G x 1)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 105°C (TC)
серыял :
-
Тактавая частата :
83MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
15,618
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F2G01ABAGD12-AAT:G больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F2G01ABAGD12-AAT:G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F2G01ABAGD12-AAT:G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Асаблівасці

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F2G01ABAGD12-AAT:G (PDF), кошт MT29F2G01ABAGD12-AAT:G, Распіноўка MT29F2G01ABAGD12-AAT:G, кіраўніцтва MT29F2G01ABAGD12-AAT:G і рашэнне на замену MT29F2G01ABAGD12-AAT:G.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G FAQ

:
1. What is the storage capacity of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits.

2. What interface does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.

3. Can the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the operating voltage range of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is typically 2.7V to 3.6V.

5. Does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory supports hardware-based data protection features for enhanced security.

6. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 50MHz.

7. Is the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.

8. Can the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory be used in conjunction with error correction codes (ECC)?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory can be used in conjunction with error correction codes (ECC) for data integrity.

9. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory?
The MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory offers a typical program and erase cycle endurance of 10,000 cycles.

10. Does the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory incorporate built-in wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F2G01ABAGD12-AAT:G NAND flash memory incorporates built-in wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks.
  

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"