MT29F256G08EFEBBWP:B Micron Technology Inc. IC FLASH 256GBIT 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F256G08EFEBBWP:B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 256GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
256Gb (32G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
26,228
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F256G08EFEBBWP:B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F256G08EFEBBWP:B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F256G08EFEBBWP:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F256G08EFEBBWP:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F256G08EFEBBWP:B Асаблівасці
MT29F256G08EFEBBWP:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F256G08EFEBBWP:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F256G08EFEBBWP:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F256G08EFEBBWP:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F256G08EFEBBWP:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F256G08EFEBBWP:B (PDF), кошт MT29F256G08EFEBBWP:B, Распіноўка MT29F256G08EFEBBWP:B, кіраўніцтва MT29F256G08EFEBBWP:B і рашэнне на замену MT29F256G08EFEBBWP:B.
MT29F256G08EFEBBWP:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F256G08EFEBBWP:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F256G08EFEBBWP:B (PDF), кошт MT29F256G08EFEBBWP:B, Распіноўка MT29F256G08EFEBBWP:B, кіраўніцтва MT29F256G08EFEBBWP:B і рашэнне на замену MT29F256G08EFEBBWP:B.
MT29F256G08EFEBBWP:B FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B is 85°C.
2. What is the typical power consumption of MT29F256G08EFEBBWP:B during read operations?
During read operations, MT29F256G08EFEBBWP:B typically consumes 200mA of power.
3. Can MT29F256G08EFEBBWP:B withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
4. What is the data retention period for MT29F256G08EFEBBWP:B?
MT29F256G08EFEBBWP:B has a data retention period of 10 years.
5. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support hardware data protection features?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B?
The recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B are 1.8V and 3.3V.
7. Is MT29F256G08EFEBBWP:B compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
8. What is the typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B is 2ms.
9. Can MT29F256G08EFEBBWP:B operate in industrial temperature range?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can operate in the industrial temperature range of -40°C to 85°C.
10. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support bad block management?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports built-in bad block management for efficient memory utilization.
The maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B is 85°C.
2. What is the typical power consumption of MT29F256G08EFEBBWP:B during read operations?
During read operations, MT29F256G08EFEBBWP:B typically consumes 200mA of power.
3. Can MT29F256G08EFEBBWP:B withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
4. What is the data retention period for MT29F256G08EFEBBWP:B?
MT29F256G08EFEBBWP:B has a data retention period of 10 years.
5. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support hardware data protection features?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B?
The recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B are 1.8V and 3.3V.
7. Is MT29F256G08EFEBBWP:B compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
8. What is the typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B is 2ms.
9. Can MT29F256G08EFEBBWP:B operate in industrial temperature range?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can operate in the industrial temperature range of -40°C to 85°C.
10. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support bad block management?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports built-in bad block management for efficient memory utilization.
MT29F256G08EFEBBWP:B Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F256G08EFEBBWP:B Кошт
MT29F256G08EFEBBWP:B Малюнак
MT29F256G08EFEBBWP:B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"