MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 256GBIT 83MHZ VLGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 256GBIT 83MHZ VLGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
256Gb (32G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
83MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
40,842
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Асаблівасці

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR (PDF), кошт MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR, Распіноўка MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR, кіраўніцтва MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR і рашэнне на замену MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR.
  

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is 100MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory be operated at temperatures below 0°C?
Yes, the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory can be operated at temperatures as low as -40°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is 200MB/s.

5. Does the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as ECC and wear leveling.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is 10,000 cycles.

7. Is the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory compatible with standard 3.3V supply voltage?
Yes, the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is compatible with a standard 3.3V supply voltage.

8. What is the package type of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory?
The package type of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is 63-ball BGA.

9. Can the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is suitable for use in automotive applications.

10. What is the typical data retention period of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"