MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.5 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Tb (128G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
333MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
21,499
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Асаблівасці
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR (PDF), кошт MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR, Распіноўка MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR, кіраўніцтва MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR і рашэнне на замену MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR (PDF), кошт MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR, Распіноўка MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR, кіраўніцтва MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR і рашэнне на замену MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Does the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Is the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces.
8. What is the typical data retention period of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 10 years.
9. Can the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory can be used in automotive applications.
10. Does the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms.
The maximum operating temperature for the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 50MHz.
5. Does the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 10,000 cycles.
7. Is the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces.
8. What is the typical data retention period of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory is 10 years.
9. Can the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory can be used in automotive applications.
10. Does the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Кошт
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Малюнак
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"