MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. TLC 1.5T 192GX8 VBGA QDP

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TLC 1.5T 192GX8 VBGA QDP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.5 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1.5Tb (192G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
333MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
19,637
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Асаблівасці

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B (PDF), кошт MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B, Распіноўка MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B, кіраўніцтва MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B і рашэнне на замену MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B.
  

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical power consumption of the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory be operated at voltages lower than the specified minimum voltage?
Operating the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory at voltages lower than the specified minimum voltage can result in unreliable behavior and potential damage to the device.

4. What are the recommended methods for extending the lifespan of the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
To extend the lifespan of the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory, it is recommended to implement wear-leveling algorithms and error correction codes, as well as minimizing write operations whenever possible.

5. Is the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is designed to operate within industrial temperature ranges, making it suitable for a wide range of applications.

6. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 50MHz.

7. Can the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets the necessary industry standards.

8. What is the typical data retention period for the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The typical data retention period for the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 10 years.

9. Does the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports hardware-based data protection features such as block locking and secure erase commands.

10. What are the available package options for the MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B NAND flash memory is available in a 63-ball BGA package.
  

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"