MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT WAFER

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1GBIT WAFER
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
47,248
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABBFAM78A3WC1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F1G08ABBFAM78A3WC1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 Асаблівасці

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 (PDF), кошт MT29F1G08ABBFAM78A3WC1, Распіноўка MT29F1G08ABBFAM78A3WC1, кіраўніцтва MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 і рашэнне на замену MT29F1G08ABBFAM78A3WC1.
  

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory during read operations is 50mA.

3. Can the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory be operated at voltages lower than the specified minimum voltage?
No, the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory should not be operated at voltages lower than the specified minimum voltage of 2.7V.

4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is 50MHz.

5. Does the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code).

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is 10,000 cycles.

7. Is the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface) and Toggle Mode.

8. What are the available package options for the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory?
The MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is available in a 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package) and a 63-ball BGA (Ball Grid Array) package.

9. Does the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory supports multiple plane operations for improved performance.

10. What is the typical data retention period of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"