WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. аб'ём памяці
  5. MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 130VFBGA
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 25NS 130VFBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
Вытворца:
Micron Technology Inc.
Катэгорыя прадукцыі:
аб'ём памяці
Апісанне:
IC FLASH 1GBIT 25NS 130VFBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:

PDF
Табліцы дадзеных
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
48,684
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Асаблівасці

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR (PDF), кошт MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR, Распіноўка MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR, кіраўніцтва MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR і рашэнне на замену MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR.
  

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is 50MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory?
The maximum data transfer rate supported by the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is 200MB/s.

5. Does the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features such as ECC and wear leveling.

6. What is the voltage range for the input supply of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory?
The voltage range for the input supply of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

7. Is the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is compatible with industrial-grade applications and is designed for reliability in harsh environments.

8. What is the typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is 3,000 cycles.

9. Can the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory be used in automotive electronics applications?
Yes, the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is suitable for use in automotive electronics applications and complies with automotive quality standards.

10. What are the available package options for the MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory?
The MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.
  

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Змяненні, ключавыя словы

:
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Кошт
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Тэхнічная спецыфікацыя
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Малюнак
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR PDF
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Тэхнічныя характарыстыкі
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Напружанне на выснове
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"