MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Micron Technology Inc. SLC 1G 128MX8 TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
SLC 1G 128MX8 TSOP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
47,425
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Асаблівасці
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F (PDF), кошт MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F, Распіноўка MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F, кіраўніцтва MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F і рашэнне на замену MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F (PDF), кошт MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F, Распіноўка MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F, кіраўніцтва MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F і рашэнне на замену MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the data retention period of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is 10 years.
5. Does the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the available package options for the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is available in a 48-ball TSOP (Thin Small Outline Package) and a 63-ball BGA (Ball Grid Array) package.
7. Can the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory be operated at different supply voltages?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory can be operated at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 10,000 cycles.
9. Is the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
10. Does the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory support bad block management?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory supports built-in bad block management for improved reliability and data integrity.
The maximum operating frequency of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.
4. What is the data retention period of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is 10 years.
5. Does the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the available package options for the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is available in a 48-ball TSOP (Thin Small Outline Package) and a 63-ball BGA (Ball Grid Array) package.
7. Can the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory be operated at different supply voltages?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory can be operated at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 10,000 cycles.
9. Is the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
10. Does the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory support bad block management?
Yes, the MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F NAND flash memory supports built-in bad block management for improved reliability and data integrity.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Кошт
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Малюнак
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"