MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
53,897
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Асаблівасці
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR (PDF), кошт MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR, Распіноўка MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR, кіраўніцтва MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR і рашэнне на замену MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR (PDF), кошт MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR, Распіноўка MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR, кіраўніцтва MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR і рашэнне на замену MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical input voltage range for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. What is the erase cycle endurance for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The erase cycle endurance for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 100,000 cycles.
4. Can the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is suitable for automotive applications.
5. What is the page size of the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The page size of the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2,048 bytes.
6. Does the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.
8. Is the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial operating conditions.
9. What is the program/erase controller voltage for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The program/erase controller voltage for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 1.8V.
10. Does the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory supports multiple plane operations.
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical input voltage range for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. What is the erase cycle endurance for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The erase cycle endurance for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 100,000 cycles.
4. Can the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is suitable for automotive applications.
5. What is the page size of the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The page size of the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 2,048 bytes.
6. Does the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory supports hardware data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 50MHz.
8. Is the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial operating conditions.
9. What is the program/erase controller voltage for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory?
The program/erase controller voltage for the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory is 1.8V.
10. Does the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory support multiple plane operations?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR NAND flash memory supports multiple plane operations.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Кошт
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Малюнак
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"
