MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1GBIT 20NS 63VFBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 105°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
51,527
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Асаблівасці

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR (PDF), кошт MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR, Распіноўка MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR, кіраўніцтва MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR і рашэнне на замену MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR.
  

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical voltage supply range for the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory?
The typical voltage supply range for the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is designed for automotive applications and meets the necessary requirements.

4. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory?
The maximum program/erase cycle endurance of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is 3000 cycles.

5. Does the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory support a wide range of interfaces?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory supports a wide range of interfaces including ONFI 2.3, Toggle 1.0, and asynchronous.

6. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

7. Is the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

8. What are the available package options for the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory?
The MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is available in a 48-ball TFBGA package.

9. Can the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory be operated in a low-power mode?
Yes, the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory can be operated in a low-power mode to conserve energy.

10. What is the data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory?
The data retention period of the MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR NAND flash memory is 10 years.
  

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"