MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1GBIT 48TSOP

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1Gb (128M x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
15,444
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F1G08ABADAWP-E:D TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F1G08ABADAWP-E:D TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT29F1G08ABADAWP-E:D TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Асаблівасці

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F1G08ABADAWP-E:D TR (PDF), кошт MT29F1G08ABADAWP-E:D TR, Распіноўка MT29F1G08ABADAWP-E:D TR, кіраўніцтва MT29F1G08ABADAWP-E:D TR і рашэнне на замену MT29F1G08ABADAWP-E:D TR.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 85°C.

2. What is the typical input voltage range for this NAND flash memory?
The typical input voltage range for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is designed to meet the rigorous demands of automotive applications.

4. What is the erase cycle endurance for this NAND flash memory?
The erase cycle endurance for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is specified as 100,000 cycles.

5. Does this NAND flash memory support a wide range of interface voltages?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory supports a wide range of interface voltages, making it versatile for various applications.

6. What are the available package options for the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory?
The MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is available in a 48-ball FBGA package.

7. Is the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory compatible with industrial operating conditions?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is designed to operate reliably in industrial environments.

8. What is the maximum clock frequency supported by this NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory is 50MHz.

9. Can the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory be used in conjunction with hardware encryption engines?
Yes, the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory can be used in conjunction with hardware encryption engines for enhanced data security.

10. What is the typical power consumption of the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F1G08ABADAWP-E:D TR NAND flash memory during read operations is 25mA.
  

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "MT29"