MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 128GBIT 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 128GBIT 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
128Gb (16G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
53,777
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F128G08EBEBBWPES:B TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F128G08EBEBBWPES:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F128G08EBEBBWPES:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Асаблівасці
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F128G08EBEBBWPES:B TR (PDF), кошт MT29F128G08EBEBBWPES:B TR, Распіноўка MT29F128G08EBEBBWPES:B TR, кіраўніцтва MT29F128G08EBEBBWPES:B TR і рашэнне на замену MT29F128G08EBEBBWPES:B TR.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F128G08EBEBBWPES:B TR (PDF), кошт MT29F128G08EBEBBWPES:B TR, Распіноўка MT29F128G08EBEBBWPES:B TR, кіраўніцтва MT29F128G08EBEBBWPES:B TR і рашэнне на замену MT29F128G08EBEBBWPES:B TR.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR NAND flash memory?
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 128 gigabytes.
2. What interface does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR use for data transfer?
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR uses a standard NAND flash interface for data transfer.
3. Can the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is designed to operate at industrial temperature ranges.
4. What is the typical power consumption of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR during read and write operations?
The typical power consumption of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR during read and write operations is low, making it suitable for power-sensitive applications.
5. Does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR supports hardware-based data protection features to ensure data integrity and security.
6. What are the recommended operating voltage levels for the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR?
The recommended operating voltage levels for the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR are within the specified range provided in the datasheet.
7. Is the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR compatible with various NAND flash controllers?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is designed to be compatible with a wide range of NAND flash controllers for ease of integration.
8. Can the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is capable of supporting advanced wear-leveling algorithms to extend its lifespan and reliability.
9. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR?
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR offers a high program and erase cycle endurance, ensuring long-term reliability in demanding applications.
10. Does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR provide built-in error correction capabilities?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR incorporates built-in error correction capabilities to maintain data accuracy and integrity.
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR NAND flash memory has a maximum capacity of 128 gigabytes.
2. What interface does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR use for data transfer?
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR uses a standard NAND flash interface for data transfer.
3. Can the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR operate at industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is designed to operate at industrial temperature ranges.
4. What is the typical power consumption of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR during read and write operations?
The typical power consumption of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR during read and write operations is low, making it suitable for power-sensitive applications.
5. Does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR supports hardware-based data protection features to ensure data integrity and security.
6. What are the recommended operating voltage levels for the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR?
The recommended operating voltage levels for the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR are within the specified range provided in the datasheet.
7. Is the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR compatible with various NAND flash controllers?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is designed to be compatible with a wide range of NAND flash controllers for ease of integration.
8. Can the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR is capable of supporting advanced wear-leveling algorithms to extend its lifespan and reliability.
9. What is the typical program and erase cycle endurance of the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR?
The MT29F128G08EBEBBWPES:B TR offers a high program and erase cycle endurance, ensuring long-term reliability in demanding applications.
10. Does the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR provide built-in error correction capabilities?
Yes, the MT29F128G08EBEBBWPES:B TR incorporates built-in error correction capabilities to maintain data accuracy and integrity.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Кошт
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Малюнак
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"