MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Micron Technology Inc. MLC 128G 16GX8 FBGA IT L05B
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MLC 128G 16GX8 FBGA IT L05B
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
128Gb (16G x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
267MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
35,779
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Асаблівасці
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E (PDF), кошт MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E, Распіноўка MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E, кіраўніцтва MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E і рашэнне на замену MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E (PDF), кошт MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E, Распіноўка MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E, кіраўніцтва MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E і рашэнне на замену MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory?
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory has a maximum capacity of 128 gigabytes.
2. What interface does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is typically between 2.7V and 3.6V.
4. Can the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is designed to withstand high operating temperatures.
5. What are the typical read and write speeds of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory?
The typical read speed of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is 50 nanoseconds, while the typical write speed is 200 nanoseconds.
6. Does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory support error correction codes (ECC)?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory supports built-in ECC functionality for data integrity.
7. What is the expected lifespan of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory under normal usage conditions?
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory has an expected lifespan of up to 100,000 program/erase cycles.
8. Is the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory compatible with various operating systems?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is compatible with a wide range of operating systems, including Linux, Windows, and others.
9. Can the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
10. Does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory have built-in wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory incorporates advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory has a maximum capacity of 128 gigabytes.
2. What interface does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory uses a standard NAND interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is typically between 2.7V and 3.6V.
4. Can the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is designed to withstand high operating temperatures.
5. What are the typical read and write speeds of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory?
The typical read speed of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is 50 nanoseconds, while the typical write speed is 200 nanoseconds.
6. Does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory support error correction codes (ECC)?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory supports built-in ECC functionality for data integrity.
7. What is the expected lifespan of the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory under normal usage conditions?
The MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory has an expected lifespan of up to 100,000 program/erase cycles.
8. Is the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory compatible with various operating systems?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is compatible with a wide range of operating systems, including Linux, Windows, and others.
9. Can the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory is designed to meet the rigorous requirements of automotive applications.
10. Does the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory have built-in wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E NAND flash memory incorporates advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Змяненні, ключавыя словы
:
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Кошт
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Малюнак
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"