MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Gb (64G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
167MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
57,224
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Асаблівасці
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR (PDF), кошт MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, Распіноўка MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, кіраўніцтва MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR і рашэнне на замену MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR (PDF), кошт MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, Распіноўка MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR, кіраўніцтва MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR і рашэнне на замену MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR?
The maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1066MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can this semiconductor operate in industrial temperature ranges?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR can operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical standby current for this semiconductor?
The typical standby current for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1μA.
5. Does this semiconductor support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR supports on-die termination (ODT).
6. What is the burst length supported by this semiconductor?
This semiconductor supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR compatible with DDR3 SDRAM standards?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is compatible with DDR3 SDRAM standards.
8. What is the refresh rate for this semiconductor?
The refresh rate for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is every 7.8μs.
9. Can this semiconductor operate at different CAS latency settings?
Yes, the MT29E512G08CMMCBBH7-6:B TR can operate at different CAS latency settings.
10. What is the maximum clock cycle time for this semiconductor?
The maximum clock cycle time for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 940ps.
The maximum operating frequency of the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1066MHz.
2. What is the power supply voltage range for this semiconductor?
The power supply voltage range for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 2.7V to 3.6V.
3. Can this semiconductor operate in industrial temperature ranges?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR can operate in industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the typical standby current for this semiconductor?
The typical standby current for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 1μA.
5. Does this semiconductor support on-die termination (ODT)?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR supports on-die termination (ODT).
6. What is the burst length supported by this semiconductor?
This semiconductor supports burst lengths of 8 and 4.
7. Is the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR compatible with DDR3 SDRAM standards?
Yes, the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is compatible with DDR3 SDRAM standards.
8. What is the refresh rate for this semiconductor?
The refresh rate for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is every 7.8μs.
9. Can this semiconductor operate at different CAS latency settings?
Yes, the MT29E512G08CMMCBBH7-6:B TR can operate at different CAS latency settings.
10. What is the maximum clock cycle time for this semiconductor?
The maximum clock cycle time for the MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR is 940ps.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Кошт
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Малюнак
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"