MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.5 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
1.5Tb (192G x 8)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
16,299
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Асаблівасці
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR (PDF), кошт MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, Распіноўка MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, кіраўніцтва MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR і рашэнне на замену MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR (PDF), кошт MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, Распіноўка MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR, кіраўніцтва MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR і рашэнне на замену MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for this semiconductor is -55°C to 100°C.
3. What is the typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V ± 0.06V.
4. Can you provide the data transfer rate for this semiconductor?
The data transfer rate for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 2666 Mbps.
5. What is the package type for this semiconductor?
The package type for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is a 96-ball BGA.
6. Is this semiconductor RoHS compliant?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is RoHS compliant.
7. What is the recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for this semiconductor?
The recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V.
8. Can you provide the refresh count for this semiconductor?
The refresh count for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 8K.
9. What is the CAS latency for this semiconductor?
The CAS latency for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is CL = 19.
10. Does this semiconductor support ECC (Error-Correction Code)?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR supports ECC (Error-Correction Code).
The maximum operating temperature for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for this semiconductor is -55°C to 100°C.
3. What is the typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR?
The typical power consumption of the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V ± 0.06V.
4. Can you provide the data transfer rate for this semiconductor?
The data transfer rate for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 2666 Mbps.
5. What is the package type for this semiconductor?
The package type for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is a 96-ball BGA.
6. Is this semiconductor RoHS compliant?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is RoHS compliant.
7. What is the recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for this semiconductor?
The recommended voltage for input/output buffer (VDDQ) for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 1.2V.
8. Can you provide the refresh count for this semiconductor?
The refresh count for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is 8K.
9. What is the CAS latency for this semiconductor?
The CAS latency for the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR is CL = 19.
10. Does this semiconductor support ECC (Error-Correction Code)?
Yes, the MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR supports ECC (Error-Correction Code).
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Змяненні, ключавыя словы
:
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Кошт
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Малюнак
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "MT29"