M29F010B70N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 1MBIT 70NS 32TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
M29F010B70N6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1MBIT 70NS 32TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
32-TSOP (8x20)
Памер памяці :
1Mb (128K x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
70ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
70ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
63,418
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
M29F010B70N6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць M29F010B70N6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc M29F010B70N6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на M29F010B70N6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
M29F010B70N6E Асаблівасці
M29F010B70N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
M29F010B70N6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
M29F010B70N6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
M29F010B70N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F010B70N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F010B70N6E (PDF), кошт M29F010B70N6E, Распіноўка M29F010B70N6E, кіраўніцтва M29F010B70N6E і рашэнне на замену M29F010B70N6E.
M29F010B70N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F010B70N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F010B70N6E (PDF), кошт M29F010B70N6E, Распіноўка M29F010B70N6E, кіраўніцтва M29F010B70N6E і рашэнне на замену M29F010B70N6E.
M29F010B70N6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations is 25 mA.
3. Can the M29F010B70N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F010B70N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the programming voltage range for the M29F010B70N6E?
The programming voltage range for the M29F010B70N6E is 4.5V to 5.5V.
5. Does the M29F010B70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F010B70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient updates.
6. What are the available package options for the M29F010B70N6E?
The M29F010B70N6E is available in a 32-lead TSOP and a 32-ball TFBGA package.
7. What is the erase time for the M29F010B70N6E flash memory?
The erase time for the M29F010B70N6E flash memory is typically 10 seconds.
8. Can the M29F010B70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F010B70N6E can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the data retention period for the M29F010B70N6E?
The data retention period for the M29F010B70N6E is guaranteed for 20 years.
10. Is the M29F010B70N6E compatible with standard microcontroller interfaces?
Yes, the M29F010B70N6E is compatible with standard microcontroller interfaces such as SPI and parallel interface.
The maximum operating frequency of the M29F010B70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F010B70N6E during read operations is 25 mA.
3. Can the M29F010B70N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F010B70N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the programming voltage range for the M29F010B70N6E?
The programming voltage range for the M29F010B70N6E is 4.5V to 5.5V.
5. Does the M29F010B70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F010B70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient updates.
6. What are the available package options for the M29F010B70N6E?
The M29F010B70N6E is available in a 32-lead TSOP and a 32-ball TFBGA package.
7. What is the erase time for the M29F010B70N6E flash memory?
The erase time for the M29F010B70N6E flash memory is typically 10 seconds.
8. Can the M29F010B70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F010B70N6E can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the data retention period for the M29F010B70N6E?
The data retention period for the M29F010B70N6E is guaranteed for 20 years.
10. Is the M29F010B70N6E compatible with standard microcontroller interfaces?
Yes, the M29F010B70N6E is compatible with standard microcontroller interfaces such as SPI and parallel interface.
M29F010B70N6E Змяненні, ключавыя словы
:
M29F010B70N6E Кошт
M29F010B70N6E Малюнак
M29F010B70N6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "M29F"