IXCY10M35S IXYS IC CURRENT REGULATOR DPAK

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
IXCY10M35S
Вытворца:
Апісанне:
IC CURRENT REGULATOR DPAK
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
Дакладнасць :
-
Метад зандзіравання :
-
Напружанне - Уваход :
-
Пакет / Чахол :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-252AA
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C
серыял :
IXC
Ток - выхад :
10mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tube
Функцыя :
Current Regulator
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
31,427
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

IXCY10M35S Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IXCY10M35S больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc IXCY10M35S. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на IXCY10M35S. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

IXCY10M35S Асаблівасці

IXCY10M35S is produced by IXYS, belongs to PMIC - Бягучы рэгуляванне / кіраванне.
  

IXCY10M35S Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
IXCY10M35S - гэта PMIC - Бягучы рэгуляванне / кіраванне, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя IXYS.
IXCY10M35S вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IXCY10M35S кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IXCY10M35S (PDF), кошт IXCY10M35S, Распіноўка IXCY10M35S, кіраўніцтва IXCY10M35S і рашэнне на замену IXCY10M35S.
  

IXCY10M35S FAQ

:
1. What is the maximum continuous drain current for the IXCY10M35S power MOSFET?
The maximum continuous drain current for the IXCY10M35S power MOSFET is 10A.

2. What is the gate threshold voltage of the IXCY10M35S MOSFET?
The gate threshold voltage of the IXCY10M35S MOSFET is typically 2.5V.

3. What is the maximum drain-source voltage rating for the IXCY10M35S MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IXCY10M35S MOSFET is 350V.

4. What is the on-resistance (RDS(on)) of the IXCY10M35S MOSFET?
The on-resistance (RDS(on)) of the IXCY10M35S MOSFET is typically 0.1 ohms.

5. What is the gate charge of the IXCY10M35S MOSFET?
The gate charge of the IXCY10M35S MOSFET is typically 20nC.

6. What is the maximum junction temperature for the IXCY10M35S MOSFET?
The maximum junction temperature for the IXCY10M35S MOSFET is 175°C.

7. What is the input capacitance of the IXCY10M35S MOSFET?
The input capacitance of the IXCY10M35S MOSFET is typically 1100pF.

8. What is the output capacitance of the IXCY10M35S MOSFET?
The output capacitance of the IXCY10M35S MOSFET is typically 300pF.

9. What is the reverse transfer capacitance of the IXCY10M35S MOSFET?
The reverse transfer capacitance of the IXCY10M35S MOSFET is typically 200pF.

10. What is the total gate charge of the IXCY10M35S MOSFET?
The total gate charge of the IXCY10M35S MOSFET is typically 20nC.
  

IXCY10M35S Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "IXCY"