IX6R11S6T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX6R11S6T/R
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IX6R11S6T/R Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
600V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.6V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
18-SOIC
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 125°C (TA)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
6A, 6A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
25ns, 17ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
49,522
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX6R11S6T/R Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX6R11S6T/R больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX6R11S6T/R. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX6R11S6T/R. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX6R11S6T/R Асаблівасці
IX6R11S6T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX6R11S6T/R Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX6R11S6T/R - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX6R11S6T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S6T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S6T/R (PDF), кошт IX6R11S6T/R, Распіноўка IX6R11S6T/R, кіраўніцтва IX6R11S6T/R і рашэнне на замену IX6R11S6T/R.
IX6R11S6T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S6T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S6T/R (PDF), кошт IX6R11S6T/R, Распіноўка IX6R11S6T/R, кіраўніцтва IX6R11S6T/R і рашэнне на замену IX6R11S6T/R.
IX6R11S6T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the IX6R11S6T/R semiconductor?
The maximum operating temperature of the IX6R11S6T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S6T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S6T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX6R11S6T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S6T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX6R11S6T/R diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S6T/R diode is typically 50ns.
5. Does the IX6R11S6T/R have built-in protection features?
Yes, the IX6R11S6T/R includes built-in overcurrent and overvoltage protection features.
6. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6T/R diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6T/R diode is 1A.
7. Is the IX6R11S6T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX6R11S6T/R is suitable for automotive applications due to its robust design and performance.
8. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S6T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX6R11S6T/R diode is 15pF.
9. Can the IX6R11S6T/R be used in power supply circuits?
Yes, the IX6R11S6T/R is commonly used in power supply circuits due to its low forward voltage drop and high efficiency.
10. What is the storage temperature range for the IX6R11S6T/R semiconductor?
The storage temperature range for the IX6R11S6T/R semiconductor is -55°C to 150°C.
The maximum operating temperature of the IX6R11S6T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S6T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S6T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX6R11S6T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S6T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX6R11S6T/R diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S6T/R diode is typically 50ns.
5. Does the IX6R11S6T/R have built-in protection features?
Yes, the IX6R11S6T/R includes built-in overcurrent and overvoltage protection features.
6. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6T/R diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6T/R diode is 1A.
7. Is the IX6R11S6T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX6R11S6T/R is suitable for automotive applications due to its robust design and performance.
8. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S6T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX6R11S6T/R diode is 15pF.
9. Can the IX6R11S6T/R be used in power supply circuits?
Yes, the IX6R11S6T/R is commonly used in power supply circuits due to its low forward voltage drop and high efficiency.
10. What is the storage temperature range for the IX6R11S6T/R semiconductor?
The storage temperature range for the IX6R11S6T/R semiconductor is -55°C to 150°C.
IX6R11S6T/R Змяненні, ключавыя словы
:
IX6R11S6T/R Кошт
IX6R11S6T/R Малюнак
IX6R11S6T/R Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX6R"
