IX6R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX6R11S3T/R
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IX6R11S3T/R Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
600V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.6V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
16-SOIC
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 125°C (TA)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
6A, 6A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
25ns, 17ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
37,829
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX6R11S3T/R Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX6R11S3T/R больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX6R11S3T/R. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX6R11S3T/R. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX6R11S3T/R Асаблівасці
IX6R11S3T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX6R11S3T/R Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX6R11S3T/R - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX6R11S3T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S3T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S3T/R (PDF), кошт IX6R11S3T/R, Распіноўка IX6R11S3T/R, кіраўніцтва IX6R11S3T/R і рашэнне на замену IX6R11S3T/R.
IX6R11S3T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S3T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S3T/R (PDF), кошт IX6R11S3T/R, Распіноўка IX6R11S3T/R, кіраўніцтва IX6R11S3T/R і рашэнне на замену IX6R11S3T/R.
IX6R11S3T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the IX6R11S3T/R semiconductor?
The maximum operating temperature of the IX6R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S3T/R diode at a current of 10mA?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S3T/R diode at a current of 10mA is 0.7V.
3. Can the IX6R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its low capacitance and fast switching characteristics.
4. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S3T/R diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S3T/R diode is 200mA.
5. Does the IX6R11S3T/R semiconductor require a heat sink for operation?
It is recommended to use a heat sink for the IX6R11S3T/R semiconductor when operating at high currents or in elevated ambient temperatures to ensure optimal performance and reliability.
6. What is the reverse recovery time of the IX6R11S3T/R diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S3T/R diode is typically 50ns.
7. Is the IX6R11S3T/R semiconductor RoHS compliant?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor is RoHS compliant, meeting the requirements for lead-free and environmentally friendly manufacturing.
8. What is the maximum reverse voltage rating for the IX6R11S3T/R diode?
The maximum reverse voltage rating for the IX6R11S3T/R diode is 75V.
9. Can the IX6R11S3T/R semiconductor withstand mechanical shock and vibration?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor is designed to withstand mechanical shock and vibration within specified limits as outlined in the datasheet.
10. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S3T/R diode at a reverse bias of 5V?
The typical junction capacitance of the IX6R11S3T/R diode at a reverse bias of 5V is 15pF.
The maximum operating temperature of the IX6R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S3T/R diode at a current of 10mA?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S3T/R diode at a current of 10mA is 0.7V.
3. Can the IX6R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its low capacitance and fast switching characteristics.
4. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S3T/R diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S3T/R diode is 200mA.
5. Does the IX6R11S3T/R semiconductor require a heat sink for operation?
It is recommended to use a heat sink for the IX6R11S3T/R semiconductor when operating at high currents or in elevated ambient temperatures to ensure optimal performance and reliability.
6. What is the reverse recovery time of the IX6R11S3T/R diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S3T/R diode is typically 50ns.
7. Is the IX6R11S3T/R semiconductor RoHS compliant?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor is RoHS compliant, meeting the requirements for lead-free and environmentally friendly manufacturing.
8. What is the maximum reverse voltage rating for the IX6R11S3T/R diode?
The maximum reverse voltage rating for the IX6R11S3T/R diode is 75V.
9. Can the IX6R11S3T/R semiconductor withstand mechanical shock and vibration?
Yes, the IX6R11S3T/R semiconductor is designed to withstand mechanical shock and vibration within specified limits as outlined in the datasheet.
10. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S3T/R diode at a reverse bias of 5V?
The typical junction capacitance of the IX6R11S3T/R diode at a reverse bias of 5V is 15pF.
IX6R11S3T/R Змяненні, ключавыя словы
:
IX6R11S3T/R Кошт
IX6R11S3T/R Малюнак
IX6R11S3T/R Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX6R"
