IX4R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX4R11S3T/R
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
650V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 7V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
16-SOIC
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
4A, 4A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
23ns, 22ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
17,792
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX4R11S3T/R Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX4R11S3T/R больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX4R11S3T/R. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX4R11S3T/R. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX4R11S3T/R Асаблівасці
IX4R11S3T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX4R11S3T/R Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX4R11S3T/R - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX4R11S3T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX4R11S3T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX4R11S3T/R (PDF), кошт IX4R11S3T/R, Распіноўка IX4R11S3T/R, кіраўніцтва IX4R11S3T/R і рашэнне на замену IX4R11S3T/R.
IX4R11S3T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX4R11S3T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX4R11S3T/R (PDF), кошт IX4R11S3T/R, Распіноўка IX4R11S3T/R, кіраўніцтва IX4R11S3T/R і рашэнне на замену IX4R11S3T/R.
IX4R11S3T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor is 20A.
5. Does the IX4R11S3T/R semiconductor require a heat sink for proper operation?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor requires a heat sink to dissipate heat effectively during operation.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode is 35ns.
7. Is the IX4R11S3T/R semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor is suitable for automotive applications due to its rugged construction and reliability.
8. What is the maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 175°C.
9. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be operated in parallel for higher current applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be operated in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature?
The typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature is 10μA.
The maximum operating temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX4R11S3T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be used in high-frequency applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum current rating for the IX4R11S3T/R semiconductor is 20A.
5. Does the IX4R11S3T/R semiconductor require a heat sink for proper operation?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor requires a heat sink to dissipate heat effectively during operation.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX4R11S3T/R diode is 35ns.
7. Is the IX4R11S3T/R semiconductor suitable for automotive applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor is suitable for automotive applications due to its rugged construction and reliability.
8. What is the maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor?
The maximum junction temperature for the IX4R11S3T/R semiconductor is 175°C.
9. Can the IX4R11S3T/R semiconductor be operated in parallel for higher current applications?
Yes, the IX4R11S3T/R semiconductor can be operated in parallel to achieve higher current handling capabilities.
10. What is the typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature?
The typical leakage current for the IX4R11S3T/R semiconductor at room temperature is 10μA.
IX4R11S3T/R Змяненні, ключавыя словы
:
IX4R11S3T/R Кошт
IX4R11S3T/R Малюнак
IX4R11S3T/R Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX4R"