IR2111STRPBF Infineon Technologies IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IR2111STRPBF
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IR2111STRPBF Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
600V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
8.3V, 12.6V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 20 V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOIC
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
250mA, 500mA
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Synchronous
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
80ns, 40ns
Частка Статус :
Active
в наличии
53,153
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IR2111STRPBF Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IR2111STRPBF больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IR2111STRPBF. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IR2111STRPBF. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IR2111STRPBF Асаблівасці
IR2111STRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IR2111STRPBF Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IR2111STRPBF - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Infineon Technologies.
IR2111STRPBF вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IR2111STRPBF кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IR2111STRPBF (PDF), кошт IR2111STRPBF, Распіноўка IR2111STRPBF, кіраўніцтва IR2111STRPBF і рашэнне на замену IR2111STRPBF.
IR2111STRPBF вытворчасці Infineon Technologies можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IR2111STRPBF кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IR2111STRPBF (PDF), кошт IR2111STRPBF, Распіноўка IR2111STRPBF, кіраўніцтва IR2111STRPBF і рашэнне на замену IR2111STRPBF.
IR2111STRPBF FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IR2111STRPBF?
The maximum operating temperature for the IR2111STRPBF is 150°C.
2. What is the input voltage range for this semiconductor device?
The input voltage range for the IR2111STRPBF is typically -0.3V to 20V.
3. Can you explain the typical output rise and fall times for this component?
The typical output rise time for the IR2111STRPBF is 25ns, and the fall time is 20ns.
4. What is the recommended gate drive voltage for the IR2111STRPBF?
The recommended gate drive voltage for the IR2111STRPBF is 10-20V.
5. Does the IR2111STRPBF have built-in under-voltage lockout protection?
Yes, the IR2111STRPBF features built-in under-voltage lockout protection.
6. What is the maximum supply current for this device?
The maximum supply current for the IR2111STRPBF is 290μA.
7. Can you provide the typical propagation delay time for the IR2111STRPBF?
The typical propagation delay time for the IR2111STRPBF is 120ns.
8. Is the IR2111STRPBF suitable for use in high-side and low-side driver applications?
Yes, the IR2111STRPBF is suitable for both high-side and low-side driver applications.
9. What is the maximum output current capability of this semiconductor device?
The maximum output current capability of the IR2111STRPBF is 2A.
10. Are there any specific ESD (Electrostatic Discharge) precautions that need to be taken when handling this component?
It is recommended to follow standard ESD precautions when handling the IR2111STRPBF to prevent damage to the device.
The maximum operating temperature for the IR2111STRPBF is 150°C.
2. What is the input voltage range for this semiconductor device?
The input voltage range for the IR2111STRPBF is typically -0.3V to 20V.
3. Can you explain the typical output rise and fall times for this component?
The typical output rise time for the IR2111STRPBF is 25ns, and the fall time is 20ns.
4. What is the recommended gate drive voltage for the IR2111STRPBF?
The recommended gate drive voltage for the IR2111STRPBF is 10-20V.
5. Does the IR2111STRPBF have built-in under-voltage lockout protection?
Yes, the IR2111STRPBF features built-in under-voltage lockout protection.
6. What is the maximum supply current for this device?
The maximum supply current for the IR2111STRPBF is 290μA.
7. Can you provide the typical propagation delay time for the IR2111STRPBF?
The typical propagation delay time for the IR2111STRPBF is 120ns.
8. Is the IR2111STRPBF suitable for use in high-side and low-side driver applications?
Yes, the IR2111STRPBF is suitable for both high-side and low-side driver applications.
9. What is the maximum output current capability of this semiconductor device?
The maximum output current capability of the IR2111STRPBF is 2A.
10. Are there any specific ESD (Electrostatic Discharge) precautions that need to be taken when handling this component?
It is recommended to follow standard ESD precautions when handling the IR2111STRPBF to prevent damage to the device.
IR2111STRPBF Змяненні, ключавыя словы
:
IR2111STRPBF Кошт
IR2111STRPBF Малюнак
IR2111STRPBF Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IR21"
