70T633S10BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
70T633S10BFI8
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.4 V ~ 2.6 V
Пакет / Чахол :
208-LFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
208-CABGA (15x15)
Памер памяці :
9Mb (512K x 18)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Volatile
Тэхналогія :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
SRAM
Час доступу :
10ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
10ns
Частка Статус :
Active
в наличии
43,137
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
70T633S10BFI8 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 70T633S10BFI8 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 70T633S10BFI8. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 70T633S10BFI8. Націсніце, каб атрымаць прапанову
70T633S10BFI8 Асаблівасці
70T633S10BFI8 is produced by IDT, Integrated Device Technology Inc, belongs to аб'ём памяці.
70T633S10BFI8 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
70T633S10BFI8 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IDT, Integrated Device Technology Inc.
70T633S10BFI8 вытворчасці IDT, Integrated Device Technology Inc можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
70T633S10BFI8 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 70T633S10BFI8 (PDF), кошт 70T633S10BFI8, Распіноўка 70T633S10BFI8, кіраўніцтва 70T633S10BFI8 і рашэнне на замену 70T633S10BFI8.
70T633S10BFI8 вытворчасці IDT, Integrated Device Technology Inc можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
70T633S10BFI8 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 70T633S10BFI8 (PDF), кошт 70T633S10BFI8, Распіноўка 70T633S10BFI8, кіраўніцтва 70T633S10BFI8 і рашэнне на замену 70T633S10BFI8.
70T633S10BFI8 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the 70T633S10BFI8 semiconductor?
The maximum operating temperature for the 70T633S10BFI8 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode is 0.7V.
3. Can the 70T633S10BFI8 handle high-frequency applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is suitable for high-frequency applications due to its low capacitance and fast switching characteristics.
4. What is the maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 70A.
5. Does the 70T633S10BFI8 require a heat sink for normal operation?
It is recommended to use a heat sink for the 70T633S10BFI8 when operating at high currents or in elevated ambient temperatures.
6. What is the typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 2.5V.
7. Is the 70T633S10BFI8 suitable for automotive applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
8. What is the maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode?
The maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode is 100V.
9. Can the 70T633S10BFI8 be used in power factor correction circuits?
Yes, the 70T633S10BFI8 is well-suited for power factor correction circuits due to its fast recovery time and low conduction losses.
10. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET is 10mΩ.
The maximum operating temperature for the 70T633S10BFI8 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BFI8 diode is 0.7V.
3. Can the 70T633S10BFI8 handle high-frequency applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is suitable for high-frequency applications due to its low capacitance and fast switching characteristics.
4. What is the maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The maximum continuous drain current for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 70A.
5. Does the 70T633S10BFI8 require a heat sink for normal operation?
It is recommended to use a heat sink for the 70T633S10BFI8 when operating at high currents or in elevated ambient temperatures.
6. What is the typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET?
The typical gate threshold voltage for the 70T633S10BFI8 MOSFET is 2.5V.
7. Is the 70T633S10BFI8 suitable for automotive applications?
Yes, the 70T633S10BFI8 is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
8. What is the maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode?
The maximum reverse voltage for the 70T633S10BFI8 Schottky diode is 100V.
9. Can the 70T633S10BFI8 be used in power factor correction circuits?
Yes, the 70T633S10BFI8 is well-suited for power factor correction circuits due to its fast recovery time and low conduction losses.
10. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BFI8 power MOSFET is 10mΩ.
70T633S10BFI8 Змяненні, ключавыя словы
:
70T633S10BFI8 Кошт
70T633S10BFI8 Малюнак
70T633S10BFI8 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "70T6"
