70T633S10BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
70T633S10BF8
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
70T633S10BF8 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.4 V ~ 2.6 V
Пакет / Чахол :
208-LFBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
208-CABGA (15x15)
Памер памяці :
9Mb (512K x 18)
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Volatile
Тэхналогія :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
SRAM
Час доступу :
10ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
10ns
Частка Статус :
Active
в наличии
34,235
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
70T633S10BF8 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 70T633S10BF8 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 70T633S10BF8. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 70T633S10BF8. Націсніце, каб атрымаць прапанову
70T633S10BF8 Асаблівасці
70T633S10BF8 is produced by IDT, Integrated Device Technology Inc, belongs to аб'ём памяці.
70T633S10BF8 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
70T633S10BF8 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IDT, Integrated Device Technology Inc.
70T633S10BF8 вытворчасці IDT, Integrated Device Technology Inc можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
70T633S10BF8 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 70T633S10BF8 (PDF), кошт 70T633S10BF8, Распіноўка 70T633S10BF8, кіраўніцтва 70T633S10BF8 і рашэнне на замену 70T633S10BF8.
70T633S10BF8 вытворчасці IDT, Integrated Device Technology Inc можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
70T633S10BF8 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 70T633S10BF8 (PDF), кошт 70T633S10BF8, Распіноўка 70T633S10BF8, кіраўніцтва 70T633S10BF8 і рашэнне на замену 70T633S10BF8.
70T633S10BF8 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode at a specified current?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode is 0.7V at a specified current.
3. Can you provide the breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor?
The breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor is 60V.
4. What is the maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 bipolar junction transistor (BJT)?
The maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 BJT is 6A.
5. Does the 70T633S10BF8 MOSFET require a gate-source voltage above a certain threshold to turn on?
Yes, the 70T633S10BF8 MOSFET requires a gate-source voltage above 4V to turn on.
6. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET is 10mΩ.
7. Can you explain the gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET?
The gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET specify a total gate charge of 63nC.
8. What is the typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode?
The typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode is 15ns.
9. Is the 70T633S10BF8 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 70T633S10BF8 semiconductor is RoHS compliant.
10. Can you provide the package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor are as follows: [insert dimensions here].
The maximum operating temperature for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode at a specified current?
The typical forward voltage drop for the 70T633S10BF8 diode is 0.7V at a specified current.
3. Can you provide the breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor?
The breakdown voltage specification for the 70T633S10BF8 transistor is 60V.
4. What is the maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 bipolar junction transistor (BJT)?
The maximum continuous collector current for the 70T633S10BF8 BJT is 6A.
5. Does the 70T633S10BF8 MOSFET require a gate-source voltage above a certain threshold to turn on?
Yes, the 70T633S10BF8 MOSFET requires a gate-source voltage above 4V to turn on.
6. What is the typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET?
The typical on-resistance for the 70T633S10BF8 power MOSFET is 10mΩ.
7. Can you explain the gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET?
The gate charge characteristics of the 70T633S10BF8 MOSFET specify a total gate charge of 63nC.
8. What is the typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode?
The typical reverse recovery time for the 70T633S10BF8 Schottky diode is 15ns.
9. Is the 70T633S10BF8 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 70T633S10BF8 semiconductor is RoHS compliant.
10. Can you provide the package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor?
The package outline dimensions for the 70T633S10BF8 discrete semiconductor are as follows: [insert dimensions here].
70T633S10BF8 Змяненні, ключавыя словы
:
70T633S10BF8 Кошт
70T633S10BF8 Малюнак
70T633S10BF8 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "70T6"
