DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
DMN2300UFB4-7B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
DMN2300UFB4-7B Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (макс.) :
±8V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
950mV @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
1.6nC @ 4.5V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
20V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
1.5V, 4.5V
Пакет / Чахол :
3-XFDFN
Пакет прылады пастаўшчыка :
X2-DFN1006-3
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
500mW (Ta)
серыял :
-
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
1.3A (Ta)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
64.3pF @ 25V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
61,196
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
DMN2300UFB4-7B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць DMN2300UFB4-7B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc DMN2300UFB4-7B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на DMN2300UFB4-7B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
DMN2300UFB4-7B Асаблівасці
DMN2300UFB4-7B is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
DMN2300UFB4-7B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
DMN2300UFB4-7B - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Diodes Incorporated.
DMN2300UFB4-7B вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
DMN2300UFB4-7B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных DMN2300UFB4-7B (PDF), кошт DMN2300UFB4-7B, Распіноўка DMN2300UFB4-7B, кіраўніцтва DMN2300UFB4-7B і рашэнне на замену DMN2300UFB4-7B.
DMN2300UFB4-7B вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
DMN2300UFB4-7B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных DMN2300UFB4-7B (PDF), кошт DMN2300UFB4-7B, Распіноўка DMN2300UFB4-7B, кіраўніцтва DMN2300UFB4-7B і рашэнне на замену DMN2300UFB4-7B.
DMN2300UFB4-7B FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 3.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 60 milliohms.
4. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Does the DMN2300UFB4-7B MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to consult the datasheet and perform thermal calculations for each application.
7. Is the DMN2300UFB4-7B MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is designed for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 2 to 4 volts.
9. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used in a logic-level drive circuit?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET can be driven by logic-level signals due to its low threshold voltage.
10. What package type is the DMN2300UFB4-7B MOSFET available in?
The DMN2300UFB4-7B MOSFET is available in a DFN2020-3 (SOT1118) package.
The maximum drain-source voltage for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The continuous drain current rating of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 3.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 60 milliohms.
4. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is suitable for high-frequency applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The maximum junction temperature for the DMN2300UFB4-7B MOSFET is 150 degrees Celsius.
6. Does the DMN2300UFB4-7B MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to consult the datasheet and perform thermal calculations for each application.
7. Is the DMN2300UFB4-7B MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET is designed for automotive applications and complies with relevant industry standards.
8. What is the gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) range for turning on the DMN2300UFB4-7B MOSFET is typically 2 to 4 volts.
9. Can the DMN2300UFB4-7B MOSFET be used in a logic-level drive circuit?
Yes, the DMN2300UFB4-7B MOSFET can be driven by logic-level signals due to its low threshold voltage.
10. What package type is the DMN2300UFB4-7B MOSFET available in?
The DMN2300UFB4-7B MOSFET is available in a DFN2020-3 (SOT1118) package.
DMN2300UFB4-7B Змяненні, ключавыя словы
:
DMN2300UFB4-7B Кошт
DMN2300UFB4-7B Малюнак
DMN2300UFB4-7B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "DMN2"
