S34ML02G104TFI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
S34ML02G104TFI010
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
S34ML02G104TFI010 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP I
Памер памяці :
2Gb (128M x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
ML-1
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
25ns
Частка Статус :
Active
в наличии
19,710
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
S34ML02G104TFI010 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S34ML02G104TFI010 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc S34ML02G104TFI010. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на S34ML02G104TFI010. Націсніце, каб атрымаць прапанову
S34ML02G104TFI010 Асаблівасці
S34ML02G104TFI010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to аб'ём памяці.
S34ML02G104TFI010 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
S34ML02G104TFI010 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cypress Semiconductor Corp.
S34ML02G104TFI010 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S34ML02G104TFI010 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S34ML02G104TFI010 (PDF), кошт S34ML02G104TFI010, Распіноўка S34ML02G104TFI010, кіраўніцтва S34ML02G104TFI010 і рашэнне на замену S34ML02G104TFI010.
S34ML02G104TFI010 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S34ML02G104TFI010 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S34ML02G104TFI010 (PDF), кошт S34ML02G104TFI010, Распіноўка S34ML02G104TFI010, кіраўніцтва S34ML02G104TFI010 і рашэнне на замену S34ML02G104TFI010.
S34ML02G104TFI010 FAQ
:
1. What is the storage capacity of the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits, which is equivalent to 256 megabytes.
2. What interface does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory use for data transfer?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit asynchronous interface for data transfer.
3. Can the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges, typically from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum clock frequency supported by the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 50 MHz for optimal performance.
5. Does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory includes hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What are the typical erase and program times for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The typical erase time for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is 2 milliseconds, while the typical program time is 200 microseconds.
7. Is the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory compatible with various NAND controllers?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is designed to be compatible with a wide range of NAND controllers for ease of integration.
8. What is the voltage supply range for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory operates within a voltage supply range of 2.7V to 3.6V for reliable performance.
9. Can the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is suitable for automotive applications and meets the necessary quality and reliability standards.
10. Does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory incorporates advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks and extend the lifespan of the device.
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory has a storage capacity of 2 gigabits, which is equivalent to 256 megabytes.
2. What interface does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory use for data transfer?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory uses a standard 8-bit or 16-bit asynchronous interface for data transfer.
3. Can the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges, typically from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum clock frequency supported by the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 50 MHz for optimal performance.
5. Does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory includes hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What are the typical erase and program times for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The typical erase time for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is 2 milliseconds, while the typical program time is 200 microseconds.
7. Is the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory compatible with various NAND controllers?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is designed to be compatible with a wide range of NAND controllers for ease of integration.
8. What is the voltage supply range for the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory?
The S34ML02G104TFI010 NAND flash memory operates within a voltage supply range of 2.7V to 3.6V for reliable performance.
9. Can the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory is suitable for automotive applications and meets the necessary quality and reliability standards.
10. Does the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the S34ML02G104TFI010 NAND flash memory incorporates advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory blocks and extend the lifespan of the device.
S34ML02G104TFI010 Змяненні, ключавыя словы
:
S34ML02G104TFI010 Кошт
S34ML02G104TFI010 Малюнак
S34ML02G104TFI010 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "S34M"
