S29WS512R0SBHW200E Cypress Semiconductor Corp IC FLASH NOR 84FBGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
S29WS512R0SBHW200E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH NOR 84FBGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 1.95 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
512Mb (32M x 16)
Працоўная тэмпература :
-25°C ~ 85°C (TA)
серыял :
WS-R
Тактавая частата :
104MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
80ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
60ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
49,588
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
S29WS512R0SBHW200E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S29WS512R0SBHW200E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc S29WS512R0SBHW200E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на S29WS512R0SBHW200E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
S29WS512R0SBHW200E Асаблівасці
S29WS512R0SBHW200E is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to аб'ём памяці.
S29WS512R0SBHW200E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
S29WS512R0SBHW200E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cypress Semiconductor Corp.
S29WS512R0SBHW200E вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S29WS512R0SBHW200E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S29WS512R0SBHW200E (PDF), кошт S29WS512R0SBHW200E, Распіноўка S29WS512R0SBHW200E, кіраўніцтва S29WS512R0SBHW200E і рашэнне на замену S29WS512R0SBHW200E.
S29WS512R0SBHW200E вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S29WS512R0SBHW200E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S29WS512R0SBHW200E (PDF), кошт S29WS512R0SBHW200E, Распіноўка S29WS512R0SBHW200E, кіраўніцтва S29WS512R0SBHW200E і рашэнне на замену S29WS512R0SBHW200E.
S29WS512R0SBHW200E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 104 MHz.
2. Can the S29WS512R0SBHW200E operate at different voltage levels?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can operate at both 3.0V and 3.3V voltage levels.
3. What is the typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 90 ns.
4. Does the S29WS512R0SBHW200E support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E supports simultaneous read and write operations.
5. What is the maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E?
The maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E is 20 years.
6. Can the S29WS512R0SBHW200E withstand high temperatures?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can withstand high temperatures up to 125°C.
7. Is the S29WS512R0SBHW200E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is compatible with standard flash memory interfaces such as SPI and parallel interfaces.
8. What is the size of the S29WS512R0SBHW200E's erase block?
The S29WS512R0SBHW200E has a 128K-byte erase block size.
9. Can the S29WS512R0SBHW200E be used in automotive applications?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is suitable for use in automotive applications.
10. Does the S29WS512R0SBHW200E have built-in error correction capabilities?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E features built-in error correction capabilities for reliable data storage.
The maximum operating frequency of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 104 MHz.
2. Can the S29WS512R0SBHW200E operate at different voltage levels?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can operate at both 3.0V and 3.3V voltage levels.
3. What is the typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory?
The typical access time of the S29WS512R0SBHW200E flash memory is 90 ns.
4. Does the S29WS512R0SBHW200E support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E supports simultaneous read and write operations.
5. What is the maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E?
The maximum data retention period of the S29WS512R0SBHW200E is 20 years.
6. Can the S29WS512R0SBHW200E withstand high temperatures?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E can withstand high temperatures up to 125°C.
7. Is the S29WS512R0SBHW200E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is compatible with standard flash memory interfaces such as SPI and parallel interfaces.
8. What is the size of the S29WS512R0SBHW200E's erase block?
The S29WS512R0SBHW200E has a 128K-byte erase block size.
9. Can the S29WS512R0SBHW200E be used in automotive applications?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E is suitable for use in automotive applications.
10. Does the S29WS512R0SBHW200E have built-in error correction capabilities?
Yes, the S29WS512R0SBHW200E features built-in error correction capabilities for reliable data storage.
S29WS512R0SBHW200E Змяненні, ключавыя словы
:
S29WS512R0SBHW200E Кошт
S29WS512R0SBHW200E Малюнак
S29WS512R0SBHW200E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "S29W"
