WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. аб'ём памяці
  5. S29GL512P11TFI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
S29GL512P11TFI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
S29GL512P11TFI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP

S29GL512P11TFI010 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP

Інтэгральныя схемы (ІС)     
Нумар вытворцы:
S29GL512P11TFI010
Вытворца:
Cypress Semiconductor Corp
Катэгорыя прадукцыі:
аб'ём памяці
Апісанне:
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
S29GL512P11TFI010 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
56-TSOP
Памер памяці :
512Mb (32M x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
GL-P
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
110ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
110ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
43,039
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

S29GL512P11TFI010 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S29GL512P11TFI010 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc S29GL512P11TFI010. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на S29GL512P11TFI010. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

S29GL512P11TFI010 Асаблівасці

S29GL512P11TFI010 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to аб'ём памяці.
  

S29GL512P11TFI010 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
S29GL512P11TFI010 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Cypress Semiconductor Corp.
S29GL512P11TFI010 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S29GL512P11TFI010 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S29GL512P11TFI010 (PDF), кошт S29GL512P11TFI010, Распіноўка S29GL512P11TFI010, кіраўніцтва S29GL512P11TFI010 і рашэнне на замену S29GL512P11TFI010.
  

S29GL512P11TFI010 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL512P11TFI010 flash memory is 66 MHz.

2. What is the voltage range for the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The voltage range for the S29GL512P11TFI010 flash memory is 2.7V to 3.6V.

3. Can the S29GL512P11TFI010 flash memory be operated in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the S29GL512P11TFI010 flash memory can be operated in both synchronous and asynchronous modes.

4. What is the typical access time for the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The typical access time for the S29GL512P11TFI010 flash memory is 90 ns.

5. Does the S29GL512P11TFI010 flash memory support simultaneous read and write operations?
Yes, the S29GL512P11TFI010 flash memory supports simultaneous read and write operations.

6. What is the maximum data retention period for the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The maximum data retention period for the S29GL512P11TFI010 flash memory is 20 years.

7. Is the S29GL512P11TFI010 flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL512P11TFI010 flash memory is compatible with industrial temperature ranges.

8. What is the erase/program cycle endurance for the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The erase/program cycle endurance for the S29GL512P11TFI010 flash memory is 100,000 cycles.

9. Can the S29GL512P11TFI010 flash memory be used in automotive applications?
Yes, the S29GL512P11TFI010 flash memory can be used in automotive applications.

10. What are the package options available for the S29GL512P11TFI010 flash memory?
The package options available for the S29GL512P11TFI010 flash memory include TSOP and BGA packages.
  

S29GL512P11TFI010 Змяненні, ключавыя словы

:
S29GL512P11TFI010 Кошт
S29GL512P11TFI010 Тэхнічная спецыфікацыя
S29GL512P11TFI010 Малюнак
S29GL512P11TFI010 PDF
S29GL512P11TFI010 Тэхнічныя характарыстыкі
S29GL512P11TFI010 Напружанне на выснове
S29GL512P11TFI010 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "S29G"