S29GL032N11DFIV22 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 32MBIT 110NS 64BGA
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
S29GL032N11DFIV22
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 32MBIT 110NS 64BGA
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
S29GL032N11DFIV22 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
1.65 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
64-LBGA
Пакет прылады пастаўшчыка :
64-Fortified BGA (9x9)
Памер памяці :
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
GL-N
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
110ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
110ns
Частка Статус :
Active
в наличии
53,028
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
S29GL032N11DFIV22 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S29GL032N11DFIV22 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc S29GL032N11DFIV22. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на S29GL032N11DFIV22. Націсніце, каб атрымаць прапанову
S29GL032N11DFIV22 Асаблівасці
S29GL032N11DFIV22 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to аб'ём памяці.
S29GL032N11DFIV22 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
S29GL032N11DFIV22 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cypress Semiconductor Corp.
S29GL032N11DFIV22 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S29GL032N11DFIV22 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S29GL032N11DFIV22 (PDF), кошт S29GL032N11DFIV22, Распіноўка S29GL032N11DFIV22, кіраўніцтва S29GL032N11DFIV22 і рашэнне на замену S29GL032N11DFIV22.
S29GL032N11DFIV22 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S29GL032N11DFIV22 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S29GL032N11DFIV22 (PDF), кошт S29GL032N11DFIV22, Распіноўка S29GL032N11DFIV22, кіраўніцтва S29GL032N11DFIV22 і рашэнне на замену S29GL032N11DFIV22.
S29GL032N11DFIV22 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S29GL032N11DFIV22 flash memory?
The maximum operating frequency of the S29GL032N11DFIV22 flash memory is 66 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL032N11DFIV22 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL032N11DFIV22 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL032N11DFIV22 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 requires a voltage of 2.7V to 3.6V for programming.
5. Does the S29GL032N11DFIV22 support uniform block erase operations?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 supports uniform block erase operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL032N11DFIV22?
The maximum data retention period of the S29GL032N11DFIV22 is 20 years.
7. Can the S29GL032N11DFIV22 withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 can withstand up to 2000V of ESD.
8. What is the package type of the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 is available in a 48-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Is the S29GL032N11DFIV22 compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 is compatible with standard parallel NOR flash memory interfaces.
10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the S29GL032N11DFIV22 flash memory is 66 MHz.
2. What is the typical power consumption of the S29GL032N11DFIV22 during read operations?
The typical power consumption of the S29GL032N11DFIV22 during read operations is 50 mA.
3. Can the S29GL032N11DFIV22 operate at industrial temperature ranges?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the voltage requirements for programming the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 requires a voltage of 2.7V to 3.6V for programming.
5. Does the S29GL032N11DFIV22 support uniform block erase operations?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 supports uniform block erase operations.
6. What is the maximum data retention period of the S29GL032N11DFIV22?
The maximum data retention period of the S29GL032N11DFIV22 is 20 years.
7. Can the S29GL032N11DFIV22 withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 can withstand up to 2000V of ESD.
8. What is the package type of the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 is available in a 48-ball Fortified BGA (FBGA) package.
9. Is the S29GL032N11DFIV22 compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the S29GL032N11DFIV22 is compatible with standard parallel NOR flash memory interfaces.
10. What is the maximum program/erase cycle endurance of the S29GL032N11DFIV22?
The S29GL032N11DFIV22 has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
S29GL032N11DFIV22 Змяненні, ключавыя словы
:
S29GL032N11DFIV22 Кошт
S29GL032N11DFIV22 Малюнак
S29GL032N11DFIV22 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "S29G"
