S-1000C39-N4T1G ABLIC U.S.A. Inc. IC VOLT DETECTOR 39V SC-82AB
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
S-1000C39-N4T1G
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC VOLT DETECTOR 39V SC-82AB
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
S-1000C39-N4T1G Табліцы дадзеных(PDF)
Выхад :
Push-Pull, Totem Pole
Колькасць кантраляваных напружанняў :
1
Напружанне - Парог :
3.9V
Пакет / Чахол :
SC-82A, SOT-343
Пакет прылады пастаўшчыка :
SC-82AB
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
S-1000
Скінуць :
Active Low
Скінуць тайм-аўт :
-
Тып :
Voltage Detector
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частка Статус :
Not For New Designs
в наличии
19,691
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
S-1000C39-N4T1G Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S-1000C39-N4T1G больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc S-1000C39-N4T1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на S-1000C39-N4T1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову
S-1000C39-N4T1G Асаблівасці
S-1000C39-N4T1G is produced by ABLIC U.S.A. Inc., belongs to PMIC - Супервізары.
S-1000C39-N4T1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
S-1000C39-N4T1G - гэта PMIC - Супервізары, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ABLIC U.S.A. Inc..
S-1000C39-N4T1G вытворчасці ABLIC U.S.A. Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S-1000C39-N4T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S-1000C39-N4T1G (PDF), кошт S-1000C39-N4T1G, Распіноўка S-1000C39-N4T1G, кіраўніцтва S-1000C39-N4T1G і рашэнне на замену S-1000C39-N4T1G.
S-1000C39-N4T1G вытворчасці ABLIC U.S.A. Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S-1000C39-N4T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S-1000C39-N4T1G (PDF), кошт S-1000C39-N4T1G, Распіноўка S-1000C39-N4T1G, кіраўніцтва S-1000C39-N4T1G і рашэнне на замену S-1000C39-N4T1G.
S-1000C39-N4T1G FAQ
:
1. What is the maximum voltage rating for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The maximum voltage rating for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 100V.
2. What is the typical operating frequency range for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The typical operating frequency range for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 1MHz to 10GHz.
3. Can the S-1000C39-N4T1G semiconductor operate in high-temperature environments?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor is designed to operate in high-temperature environments up to 150°C.
4. What is the maximum power dissipation for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The maximum power dissipation for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 2W.
5. Does the S-1000C39-N4T1G semiconductor require any special heat sinking or thermal management?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor may require additional heat sinking or thermal management, especially when operating at higher power levels.
6. What is the typical gain of the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The typical gain of the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 15dB.
7. Is the S-1000C39-N4T1G semiconductor suitable for RF amplifier applications?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor is well-suited for RF amplifier applications due to its high-frequency capabilities.
8. What are the recommended storage conditions for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The recommended storage conditions for the S-1000C39-N4T1G semiconductor are -55°C to 150°C and 30% to 90% relative humidity.
9. Can the S-1000C39-N4T1G semiconductor be used in battery-powered devices?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor can be used in battery-powered devices due to its low power consumption characteristics.
10. What are the typical applications for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The S-1000C39-N4T1G semiconductor is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency electronic applications.
The maximum voltage rating for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 100V.
2. What is the typical operating frequency range for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The typical operating frequency range for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 1MHz to 10GHz.
3. Can the S-1000C39-N4T1G semiconductor operate in high-temperature environments?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor is designed to operate in high-temperature environments up to 150°C.
4. What is the maximum power dissipation for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The maximum power dissipation for the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 2W.
5. Does the S-1000C39-N4T1G semiconductor require any special heat sinking or thermal management?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor may require additional heat sinking or thermal management, especially when operating at higher power levels.
6. What is the typical gain of the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The typical gain of the S-1000C39-N4T1G semiconductor is 15dB.
7. Is the S-1000C39-N4T1G semiconductor suitable for RF amplifier applications?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor is well-suited for RF amplifier applications due to its high-frequency capabilities.
8. What are the recommended storage conditions for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The recommended storage conditions for the S-1000C39-N4T1G semiconductor are -55°C to 150°C and 30% to 90% relative humidity.
9. Can the S-1000C39-N4T1G semiconductor be used in battery-powered devices?
Yes, the S-1000C39-N4T1G semiconductor can be used in battery-powered devices due to its low power consumption characteristics.
10. What are the typical applications for the S-1000C39-N4T1G semiconductor?
The S-1000C39-N4T1G semiconductor is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency electronic applications.
S-1000C39-N4T1G Змяненні, ключавыя словы
:
S-1000C39-N4T1G Кошт
S-1000C39-N4T1G Малюнак
S-1000C39-N4T1G Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "S-10"
