аб'ём памяці
Аб'ём памяці - гэта колькасць інфармацыі, якую можна захоўваць у кампутарнай сістэме ці прыладзе. Звычайна ён вымяраецца ў бітах (ці яго кратных адзінках, такіх як байты, кілабайты, мегабайты, гігабайты і т. д.). У кампутарах і электронных прыладах аб'ём памяці вызначае іх здольнасць захоўваць дадзеныя, праграмы і іншую інфармацыю. Большы аб'ём памяці звычайна азначае больш даступнага прасторы для захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Аб'ём памяці ў кампутарах можа быць падзелены на некалькі тыпаў, такіх як аператыўная памяць (RAM), пастаянная памяць (напрыклад, жорсткі дыск ці флэш-памяць), кэш-памяць і іншыя формы захоўвання даных. Кожны тып памяці мае свае асаблівасці і прызначэнне. Аб'ём памяці з'яўляецца важным аспектам пры выбары кампутара ці прылады, паколькі ён уплывае на магчымасці захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Большы аб'ём памяці звычайна дае больш вольнай прасторы і паляпшае прадукцыйнасць сістэмы, дазваляючы апрацоўваць вялікія аб'ёмы інфармацыі：Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC
Вытворчасць :
- Прыкладныя фільтры :
105864 прадукты
| ОБРАЗ | ЧАСТКА №. | ВЫТВОРЧАСЦЬ | АКЦЫІ | АПІСАННЕ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
W25Q256FVEIP | Winbond Electronics | 15,289 Сёння карабель | IC FLASH 256MBIT 8WSON | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
W25Q256FVFIP | Winbond Electronics | 29,629 Сёння карабель | IC FLASH 256MBIT 16SOIC | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 | Micron Technology Inc. | 28,242 Сёння карабель | IC FLASH 4GBIT WAFER | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C | Micron Technology Inc. | 32,381 Сёння карабель | IC FLASH 8GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G08ABAEAH4-E:E | Micron Technology Inc. | 53,355 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F | Micron Technology Inc. | 54,014 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G08ABBFAH4:F | Micron Technology Inc. | 41,640 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F | Micron Technology Inc. | 49,231 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G16ABBFAH4:F | Micron Technology Inc. | 29,958 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F4G08ABADAM60A3WC1 | Micron Technology Inc. | 37,586 Сёння карабель | IC FLASH 4GBIT WAFER | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F4G08ABBDAHC:D | Micron Technology Inc. | 19,362 Сёння карабель | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F4G16ABBDAHC:D | Micron Technology Inc. | 27,032 Сёння карабель | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F8G08ADADAH4-E:D | Micron Technology Inc. | 28,757 Сёння карабель | IC FLASH 8GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 | Micron Technology Inc. | 32,203 Сёння карабель | IC FLASH 8GBIT WAFER | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR | Micron Technology Inc. | 24,163 Сёння карабель | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. | 47,434 Сёння карабель | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. | 21,081 Сёння карабель | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. | 37,994 Сёння карабель | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
W25Q128FVBIG | Winbond Electronics | 15,943 Сёння карабель | IC FLASH 128MBIT 104MHZ 24TFBGA | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
M25PX16-V6D11 | Micron Technology Inc. | 25,690 Сёння карабель | IC FLASH SER NOR SLC | ПАГЛЯДЗІЦЬ |