IX6R11S6 IXYS IC BRIDGE DRIVER FOR N-CH MOSFET
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX6R11S6
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC BRIDGE DRIVER FOR N-CH MOSFET
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IX6R11S6 Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
600V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.6V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
18-SOIC
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 125°C (TA)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
6A, 6A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tube
Час нарастання/падзення (тып.) :
25ns, 17ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
27,531
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX6R11S6 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX6R11S6 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX6R11S6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX6R11S6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX6R11S6 Асаблівасці
IX6R11S6 is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX6R11S6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX6R11S6 - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX6R11S6 вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S6 (PDF), кошт IX6R11S6, Распіноўка IX6R11S6, кіраўніцтва IX6R11S6 і рашэнне на замену IX6R11S6.
IX6R11S6 вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX6R11S6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX6R11S6 (PDF), кошт IX6R11S6, Распіноўка IX6R11S6, кіраўніцтва IX6R11S6 і рашэнне на замену IX6R11S6.
IX6R11S6 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the IX6R11S6 semiconductor?
The maximum operating temperature of the IX6R11S6 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S6 diode?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S6 diode is 0.7V.
3. Can the IX6R11S6 handle high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S6 is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX6R11S6 diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S6 diode is typically 35 nanoseconds.
5. Does the IX6R11S6 have built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the IX6R11S6 is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6 diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6 diode is 5A.
7. Is the IX6R11S6 suitable for automotive applications?
Yes, the IX6R11S6 is suitable for automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
8. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S6 diode?
The typical junction capacitance of the IX6R11S6 diode is 15 pF.
9. Can the IX6R11S6 be used in parallel configurations for higher current requirements?
Yes, the IX6R11S6 can be used in parallel configurations to meet higher current requirements effectively.
10. What is the recommended storage temperature range for the IX6R11S6 semiconductor?
The recommended storage temperature range for the IX6R11S6 semiconductor is -55°C to 150°C.
The maximum operating temperature of the IX6R11S6 semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX6R11S6 diode?
The typical forward voltage drop for the IX6R11S6 diode is 0.7V.
3. Can the IX6R11S6 handle high-frequency applications?
Yes, the IX6R11S6 is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX6R11S6 diode?
The reverse recovery time of the IX6R11S6 diode is typically 35 nanoseconds.
5. Does the IX6R11S6 have built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the IX6R11S6 is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6 diode?
The maximum continuous forward current rating for the IX6R11S6 diode is 5A.
7. Is the IX6R11S6 suitable for automotive applications?
Yes, the IX6R11S6 is suitable for automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
8. What is the typical junction capacitance of the IX6R11S6 diode?
The typical junction capacitance of the IX6R11S6 diode is 15 pF.
9. Can the IX6R11S6 be used in parallel configurations for higher current requirements?
Yes, the IX6R11S6 can be used in parallel configurations to meet higher current requirements effectively.
10. What is the recommended storage temperature range for the IX6R11S6 semiconductor?
The recommended storage temperature range for the IX6R11S6 semiconductor is -55°C to 150°C.
IX6R11S6 Змяненні, ключавыя словы
:
IX6R11S6 Кошт
IX6R11S6 Малюнак
IX6R11S6 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX6R"
