DGD2181S8-13 Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
DGD2181S8-13
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
DGD2181S8-13 Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
600V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 20 V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
1.9A, 2.3A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
40ns, 20ns
Частка Статус :
Active
в наличии
23,531
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
DGD2181S8-13 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць DGD2181S8-13 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc DGD2181S8-13. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на DGD2181S8-13. Націсніце, каб атрымаць прапанову
DGD2181S8-13 Асаблівасці
DGD2181S8-13 is produced by Diodes Incorporated, belongs to PMIC - драйверы Gate.
DGD2181S8-13 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
DGD2181S8-13 - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Diodes Incorporated.
DGD2181S8-13 вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
DGD2181S8-13 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных DGD2181S8-13 (PDF), кошт DGD2181S8-13, Распіноўка DGD2181S8-13, кіраўніцтва DGD2181S8-13 і рашэнне на замену DGD2181S8-13.
DGD2181S8-13 вытворчасці Diodes Incorporated можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
DGD2181S8-13 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных DGD2181S8-13 (PDF), кошт DGD2181S8-13, Распіноўка DGD2181S8-13, кіраўніцтва DGD2181S8-13 і рашэнне на замену DGD2181S8-13.
DGD2181S8-13 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for DGD2181S8-13?
The maximum drain-source voltage for DGD2181S8-13 is 80V.
2. What is the typical on-state resistance of DGD2181S8-13?
The typical on-state resistance of DGD2181S8-13 is 18 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for DGD2181S8-13?
The maximum continuous drain current for DGD2181S8-13 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of DGD2181S8-13?
The gate threshold voltage of DGD2181S8-13 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for DGD2181S8-13?
The maximum junction temperature for DGD2181S8-13 is 175°C.
6. What is the input capacitance of DGD2181S8-13?
The input capacitance of DGD2181S8-13 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge of DGD2181S8-13?
The total gate charge of DGD2181S8-13 is typically 60nC.
8. What is the maximum power dissipation of DGD2181S8-13?
The maximum power dissipation of DGD2181S8-13 is 200W.
9. What is the threshold voltage temperature coefficient of DGD2181S8-13?
The threshold voltage temperature coefficient of DGD2181S8-13 is typically -2.5mV/°C.
10. What is the storage temperature range for DGD2181S8-13?
The storage temperature range for DGD2181S8-13 is -55°C to 175°C.
The maximum drain-source voltage for DGD2181S8-13 is 80V.
2. What is the typical on-state resistance of DGD2181S8-13?
The typical on-state resistance of DGD2181S8-13 is 18 mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for DGD2181S8-13?
The maximum continuous drain current for DGD2181S8-13 is 120A.
4. What is the gate threshold voltage of DGD2181S8-13?
The gate threshold voltage of DGD2181S8-13 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for DGD2181S8-13?
The maximum junction temperature for DGD2181S8-13 is 175°C.
6. What is the input capacitance of DGD2181S8-13?
The input capacitance of DGD2181S8-13 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge of DGD2181S8-13?
The total gate charge of DGD2181S8-13 is typically 60nC.
8. What is the maximum power dissipation of DGD2181S8-13?
The maximum power dissipation of DGD2181S8-13 is 200W.
9. What is the threshold voltage temperature coefficient of DGD2181S8-13?
The threshold voltage temperature coefficient of DGD2181S8-13 is typically -2.5mV/°C.
10. What is the storage temperature range for DGD2181S8-13?
The storage temperature range for DGD2181S8-13 is -55°C to 175°C.
DGD2181S8-13 Змяненні, ключавыя словы
:
DGD2181S8-13 Кошт
DGD2181S8-13 Малюнак
DGD2181S8-13 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "DGD2"
