CGHV1F006S Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
CGHV1F006S
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
CGHV1F006S Табліцы дадзеных(PDF)
Бягучы рэйтынг :
950mA
Выйгрыш :
16dB
Магутнасць - выхад :
8W
Напружанне - Намінальнае :
100V
Напружанне - Тэст :
40V
Пакет / Чахол :
12-VFDFN Exposed Pad
Пакет прылады пастаўшчыка :
12-DFN (4x3)
серыял :
GaN
Ток - Тэст :
60mA
Тып транзістара :
HEMT
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фігура шуму :
-
Частата :
6GHz
Частка Статус :
Active
в наличии
57,768
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
CGHV1F006S Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць CGHV1F006S больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc CGHV1F006S. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на CGHV1F006S. Націсніце, каб атрымаць прапанову
CGHV1F006S Асаблівасці
CGHV1F006S is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
CGHV1F006S Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
CGHV1F006S - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cree/Wolfspeed.
CGHV1F006S вытворчасці Cree/Wolfspeed можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CGHV1F006S кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CGHV1F006S (PDF), кошт CGHV1F006S, Распіноўка CGHV1F006S, кіраўніцтва CGHV1F006S і рашэнне на замену CGHV1F006S.
CGHV1F006S вытворчасці Cree/Wolfspeed можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CGHV1F006S кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CGHV1F006S (PDF), кошт CGHV1F006S, Распіноўка CGHV1F006S, кіраўніцтва CGHV1F006S і рашэнне на замену CGHV1F006S.
CGHV1F006S FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S?
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
The maximum drain-source voltage rating for the CGHV1F006S is 650 volts.
2. What is the typical input capacitance of the CGHV1F006S at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV1F006S is 440 pF at a voltage of 25 V and a frequency of 1 MHz.
3. Can the CGHV1F006S be used in high-frequency applications?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the maximum continuous drain current for the CGHV1F006S?
The maximum continuous drain current for the CGHV1F006S is 6 A.
5. Does the CGHV1F006S require an external matching network for optimal performance?
Yes, the CGHV1F006S requires an external matching network for optimal performance in RF applications.
6. What is the typical on-state resistance of the CGHV1F006S?
The typical on-state resistance of the CGHV1F006S is 0.35 ohms.
7. Is the CGHV1F006S suitable for use in Class AB amplifier designs?
Yes, the CGHV1F006S is suitable for use in Class AB amplifier designs due to its high power handling capability.
8. What is the recommended operating temperature range for the CGHV1F006S?
The recommended operating temperature range for the CGHV1F006S is -55°C to 150°C.
9. Can the CGHV1F006S be used in linear amplifier applications?
Yes, the CGHV1F006S can be used in linear amplifier applications due to its low distortion characteristics.
10. What is the typical gate charge of the CGHV1F006S at a specified voltage and current?
The typical gate charge of the CGHV1F006S is 20 nC at a voltage of 10 V and a drain current of 3 A.
CGHV1F006S Змяненні, ключавыя словы
:
CGHV1F006S Кошт
CGHV1F006S Малюнак
CGHV1F006S Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "CGHV"
